Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

EPC2001

EPC2001

BAGIAN SAHAM: 18487

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5V,

Wishlist.
EPC2049ENGRT

EPC2049ENGRT

BAGIAN SAHAM: 4397

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 15A, 5V,

Wishlist.
EPC2021

EPC2021

BAGIAN SAHAM: 14286

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 29A, 5V,

Wishlist.
EPC2025

EPC2025

BAGIAN SAHAM: 1945

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 300V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 3A, 5V,

Wishlist.
EPC2031

EPC2031

BAGIAN SAHAM: 8638

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 31A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 5V,

Wishlist.
EPC2018

EPC2018

BAGIAN SAHAM: 8926

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V,

Wishlist.
EPC2016

EPC2016

BAGIAN SAHAM: 50068

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 11A, 5V,

Wishlist.
EPC2051ENGRT

EPC2051ENGRT

BAGIAN SAHAM: 10801

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.7A, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 5V,

Wishlist.
EPC8004

EPC8004

BAGIAN SAHAM: 28614

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 5V,

Wishlist.
EPC8009

EPC8009

BAGIAN SAHAM: 27880

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 65V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 500mA, 5V,

Wishlist.
EPC2030ENGRT

EPC2030ENGRT

BAGIAN SAHAM: 16295

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 31A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 5V,

Wishlist.
EPC2007

EPC2007

BAGIAN SAHAM: 69589

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 5V,

Wishlist.
EPC2015

EPC2015

BAGIAN SAHAM: 18703

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 33A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 33A, 5V,

Wishlist.
EPC2031ENGRT

EPC2031ENGRT

BAGIAN SAHAM: 17048

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 31A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 5V,

Wishlist.
EPC2012

EPC2012

BAGIAN SAHAM: 54098

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3A, 5V,

Wishlist.
EPC2010

EPC2010

BAGIAN SAHAM: 9929

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 5V,

Wishlist.
EPC2022

EPC2022

BAGIAN SAHAM: 14027

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 5V,

Wishlist.
EPC2024

EPC2024

BAGIAN SAHAM: 14687

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 37A, 5V,

Wishlist.
EPC2033

EPC2033

BAGIAN SAHAM: 13722

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 31A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5V,

Wishlist.
EPC2032

EPC2032

BAGIAN SAHAM: 16483

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 48A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 5V,

Wishlist.
EPC2020

EPC2020

BAGIAN SAHAM: 14515

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 31A, 5V,

Wishlist.
EPC2029

EPC2029

BAGIAN SAHAM: 16856

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 48A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 5V,

Wishlist.
EPC2034

EPC2034

BAGIAN SAHAM: 7981

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 48A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 5V,

Wishlist.
EPC2035

EPC2035

BAGIAN SAHAM: 195456

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 1A, 5V,

Wishlist.
EPC2023

EPC2023

BAGIAN SAHAM: 18953

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 40A, 5V,

Wishlist.
EPC2015C

EPC2015C

BAGIAN SAHAM: 30169

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 53A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 33A, 5V,

Wishlist.
EPC2014

EPC2014

BAGIAN SAHAM: 74091

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 5V,

Wishlist.
EPC2030

EPC2030

BAGIAN SAHAM: 22960

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 31A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 5V,

Wishlist.
EPC8010

EPC8010

BAGIAN SAHAM: 46864

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 5V,

Wishlist.
EPC2045ENGRT

EPC2045ENGRT

BAGIAN SAHAM: 26260

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 5V,

Wishlist.
EPC2010C

EPC2010C

BAGIAN SAHAM: 17919

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 12A, 5V,

Wishlist.
EPC2012C

EPC2012C

BAGIAN SAHAM: 54040

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3A, 5V,

Wishlist.
EPC2001C

EPC2001C

BAGIAN SAHAM: 31126

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 5V,

Wishlist.
EPC2202

EPC2202

BAGIAN SAHAM: 48425

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11A, 5V,

Wishlist.
EPC2019

EPC2019

BAGIAN SAHAM: 37744

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 7A, 5V,

Wishlist.
EPC2007C

EPC2007C

BAGIAN SAHAM: 74756

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 5V,

Wishlist.