BAGIAN SAHAM: 46864
Tipe FET: N-Channel, Teknologi: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 5V,