Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
DMNH10H028SK3-13
Diodes Incorporated

DMNH10H028SK3-13

BAGIAN SAHAM: 118876

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
DMP2215L-7
Diodes Incorporated

DMP2215L-7

BAGIAN SAHAM: 169317

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.7A, 4.5V,

Wishlist.
ZXMN3B14FTA
Diodes Incorporated

ZXMN3B14FTA

BAGIAN SAHAM: 178557

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.1A, 4.5V,

Wishlist.
DMP3056L-7
Diodes Incorporated

DMP3056L-7

BAGIAN SAHAM: 161472

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.
DMP3098L-7
Diodes Incorporated

DMP3098L-7

BAGIAN SAHAM: 126517

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.8A, 10V,

Wishlist.
DMP21D0UFB4-7B
Diodes Incorporated

DMP21D0UFB4-7B

BAGIAN SAHAM: 104517

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 770mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 495 mOhm @ 400mA, 4.5V,

Wishlist.
DMN60H3D5SK3-13
Diodes Incorporated

DMN60H3D5SK3-13

BAGIAN SAHAM: 199805

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

Wishlist.
DMN2300U-7
Diodes Incorporated

DMN2300U-7

BAGIAN SAHAM: 100038

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.24A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 300mA, 4.5V,

Wishlist.
DMN6140L-13
Diodes Incorporated

DMN6140L-13

BAGIAN SAHAM: 176015

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.8A, 10V,

Wishlist.
DMP2160U-7
Diodes Incorporated

DMP2160U-7

BAGIAN SAHAM: 166058

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Wishlist.
DMN5L06K-7
Diodes Incorporated

DMN5L06K-7

BAGIAN SAHAM: 182292

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V,

Wishlist.
DMG2302U-7
Diodes Incorporated

DMG2302U-7

BAGIAN SAHAM: 182756

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Wishlist.
DMG2305UX-13
Diodes Incorporated

DMG2305UX-13

BAGIAN SAHAM: 107888

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 4.2A, 4.5V,

Wishlist.
DMP3099L-7
Diodes Incorporated

DMP3099L-7

BAGIAN SAHAM: 109935

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 10V,

Wishlist.
DMP1022UFDE-7
Diodes Incorporated

DMP1022UFDE-7

BAGIAN SAHAM: 197478

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.2V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V,

Wishlist.
DMP3068L-7
Diodes Incorporated

DMP3068L-7

BAGIAN SAHAM: 125749

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 4.2A, 10V,

Wishlist.
DMG1013UW-7
Diodes Incorporated

DMG1013UW-7

BAGIAN SAHAM: 131523

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 820mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 430mA, 4.5V,

Wishlist.
DMP4065S-7
Diodes Incorporated

DMP4065S-7

BAGIAN SAHAM: 130303

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.2A, 10V,

Wishlist.
DMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated

DMN26D0UFB4-7

BAGIAN SAHAM: 124455

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Wishlist.
DMN10H220L-7
Diodes Incorporated

DMN10H220L-7

BAGIAN SAHAM: 130232

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 1.6A, 10V,

Wishlist.
DMN2075U-7
Diodes Incorporated

DMN2075U-7

BAGIAN SAHAM: 197480

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Wishlist.
DMG3415U-7
Diodes Incorporated

DMG3415U-7

BAGIAN SAHAM: 102707

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4A, 4.5V,

Wishlist.
DMG3406L-13
Diodes Incorporated

DMG3406L-13

BAGIAN SAHAM: 142489

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.6A, 10V,

Wishlist.
DMN5L06WK-7
Diodes Incorporated

DMN5L06WK-7

BAGIAN SAHAM: 159989

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V,

Wishlist.
DMN2400UFB4-7
Diodes Incorporated

DMN2400UFB4-7

BAGIAN SAHAM: 156142

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Wishlist.
ZXMP10A13FTA
Diodes Incorporated

ZXMP10A13FTA

BAGIAN SAHAM: 186248

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 600mA, 10V,

Wishlist.
DMN2075UDW-7
Diodes Incorporated

DMN2075UDW-7

BAGIAN SAHAM: 147859

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wishlist.
DMP2035U-7
Diodes Incorporated

DMP2035U-7

BAGIAN SAHAM: 135678

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 4.5V,

Wishlist.
ZXM61N02FTA
Diodes Incorporated

ZXM61N02FTA

BAGIAN SAHAM: 177130

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.7V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 930mA, 4.5V,

Wishlist.
DMN2005LP4K-7
Diodes Incorporated

DMN2005LP4K-7

BAGIAN SAHAM: 158680

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V,

Wishlist.
DMG1012UW-7
Diodes Incorporated

DMG1012UW-7

BAGIAN SAHAM: 180686

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Wishlist.
DMP2100U-7
Diodes Incorporated

DMP2100U-7

BAGIAN SAHAM: 141173

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3.5A, 10V,

Wishlist.
DMG301NU-13
Diodes Incorporated

DMG301NU-13

BAGIAN SAHAM: 191217

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 260mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.7V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V,

Wishlist.
DMP3130L-7
Diodes Incorporated

DMP3130L-7

BAGIAN SAHAM: 197175

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 4.2A, 10V,

Wishlist.
DMG6968U-7
Diodes Incorporated

DMG6968U-7

BAGIAN SAHAM: 107882

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

Wishlist.
DMP2305U-7
Diodes Incorporated

DMP2305U-7

BAGIAN SAHAM: 106755

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.2A, 4.5V,

Wishlist.