Transistor - FET, MOSFET - Array

DMN601DWK-7

BAGIAN SAHAM: 176941

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 305mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Untuk Wishlist.

DMN5L06DMK-7

BAGIAN SAHAM: 107540

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 305mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

DMN2050LFDB-7

BAGIAN SAHAM: 105819

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

DMN2004DMK-7

BAGIAN SAHAM: 125678

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 540mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SQJB70EP-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 113439

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.5V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SI4936BDY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 168524

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SI1965DH-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 100544

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SIA911ADJ-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 139873

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 116 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SQJ990EP-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 141592

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6A, 10V, 19 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SQ1563AEH-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 2535

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 850mA (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 850mA, 4.5V, 575 mOhm @ 800mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SIA537EDJ-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 157576

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SI5513CDC-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 193923

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A, 3.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SQJQ904E-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 54848

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.5V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SI1926DL-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 150474

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 370mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 340mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SI7212DN-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 57376

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.6V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

IRF9956TRPBF

BAGIAN SAHAM: 162504

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

IRF7301TRPBF

BAGIAN SAHAM: 199318

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 700mV @ 250µA,

Untuk Wishlist.

IRF3575DTRPBF

BAGIAN SAHAM: 34855

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 303A (Tc),

Untuk Wishlist.

IRF7324TRPBF

BAGIAN SAHAM: 97929

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

IPG20N06S2L35ATMA1

BAGIAN SAHAM: 145368

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 27µA,

Untuk Wishlist.

IRF7103TRPBF

BAGIAN SAHAM: 149977

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

IPG20N06S2L50ATMA1

BAGIAN SAHAM: 152225

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 19µA,

Untuk Wishlist.

Rohm Semiconductor

SH8J31GZETB

BAGIAN SAHAM: 96459

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 1mA,

Untuk Wishlist.

Rohm Semiconductor

SH8J62TB1

BAGIAN SAHAM: 138723

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Untuk Wishlist.

Rohm Semiconductor

EM6M1T2R

BAGIAN SAHAM: 166276

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA, 200mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

Untuk Wishlist.

SSM6N57NU,LF

BAGIAN SAHAM: 182932

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 1mA,

Untuk Wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8407,LQ(S

BAGIAN SAHAM: 151036

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A, 7.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.3V @ 100µA,

Untuk Wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002CFU,LF

BAGIAN SAHAM: 164511

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 170mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

NTMD4N03R2G

BAGIAN SAHAM: 117636

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

FDS6911

BAGIAN SAHAM: 99941

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

FDMD8630

BAGIAN SAHAM: 2633

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 167A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 38A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

FDS6975

BAGIAN SAHAM: 115211

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

FDS4897C

BAGIAN SAHAM: 170499

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.2A, 4.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.2A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Untuk Wishlist.