Transistor - FET, MOSFET - Array

SP8K2TB

BAGIAN SAHAM: 195188

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Untuk Wishlist.

SH8K15TB1

BAGIAN SAHAM: 137046

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Untuk Wishlist.

QS8K11TCR

BAGIAN SAHAM: 198738

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Untuk Wishlist.

US6M1TR

BAGIAN SAHAM: 141982

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.4A, 1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Untuk Wishlist.

SH8M13GZETB

BAGIAN SAHAM: 173570

Tipe FET: N and P-Channel, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, 7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Untuk Wishlist.

SI1965DH-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 150223

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SI1016X-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 135127

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SI6926ADQ-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 129467

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SI1023CX-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 136072

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 756 mOhm @ 350mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SQ3989EV-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 124228

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 400mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SI4670DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 139899

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SIZ300DT-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 146800

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A, 28A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9.8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SI7540ADP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 87195

Tipe FET: N and P-Channel, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A, 9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SI4943CDY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 89694

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19.2 mOhm @ 8.3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SQJ992EP-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 130455

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 56.2 mOhm @ 3.7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SQJ570EP-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 165202

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 9.5A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SI5902BDC-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 125173

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

Taiwan Semiconductor Corporation

SQ1539EH-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 2491

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 850mA (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1A, 10V, 940 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.6V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

Diodes Incorporated

DMN67D8LDW-13

BAGIAN SAHAM: 104906

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 230mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

Diodes Incorporated

DMN2005DLP4K-7

BAGIAN SAHAM: 162696

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 300mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 900mV @ 100µA,

Untuk Wishlist.

Texas Instruments

CSD85302L

BAGIAN SAHAM: 146505

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Standard,

Untuk Wishlist.

Texas Instruments

CSD86360Q5D

BAGIAN SAHAM: 67326

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

TSM200N03DPQ33 RGG

BAGIAN SAHAM: 2506

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

FDMA1023PZ

BAGIAN SAHAM: 100824

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

FDS8958B

BAGIAN SAHAM: 194401

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.4A, 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

NVMFD5485NLT3G

BAGIAN SAHAM: 94178

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

NTJD4158CT1G

BAGIAN SAHAM: 159746

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 100µA,

Untuk Wishlist.

EFC6612R-TF

BAGIAN SAHAM: 157184

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

Untuk Wishlist.

IRF7105TRPBF

BAGIAN SAHAM: 196914

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

IPG16N10S4L61AATMA1

BAGIAN SAHAM: 195154

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.1V @ 90µA,

Untuk Wishlist.

IPG20N06S4L14ATMA2

BAGIAN SAHAM: 126778

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13.7 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 20µA,

Untuk Wishlist.