Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

BUK9608-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9608-55A,118

BAGIAN SAHAM: 81443

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BSS138LT3
ON Semiconductor

BSS138LT3

BAGIAN SAHAM: 281

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 5V,

Untuk Wishlist.
BSS123LT3
ON Semiconductor

BSS123LT3

BAGIAN SAHAM: 305

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

Untuk Wishlist.
BSS123LT3G
ON Semiconductor

BSS123LT3G

BAGIAN SAHAM: 251

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

Untuk Wishlist.
BS170RLRPG
ON Semiconductor

BS170RLRPG

BAGIAN SAHAM: 339

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Untuk Wishlist.
BS170RLRP
ON Semiconductor

BS170RLRP

BAGIAN SAHAM: 277

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Untuk Wishlist.
BS170G
ON Semiconductor

BS170G

BAGIAN SAHAM: 6047

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Untuk Wishlist.
BS108G
ON Semiconductor

BS108G

BAGIAN SAHAM: 5654

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2V, 2.8V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 100mA, 2.8V,

Untuk Wishlist.
BS107G
ON Semiconductor

BS107G

BAGIAN SAHAM: 6088

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Untuk Wishlist.
BS107ARL1G
ON Semiconductor

BS107ARL1G

BAGIAN SAHAM: 245

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 250mA, 10V,

Untuk Wishlist.
BS107ARL1
ON Semiconductor

BS107ARL1

BAGIAN SAHAM: 306

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 250mA, 10V,

Untuk Wishlist.
BS170P
Diodes Incorporated

BS170P

BAGIAN SAHAM: 82285

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Untuk Wishlist.
BSS87L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS87L6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 311

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 240V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 260mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 260mA, 10V,

Untuk Wishlist.
BSS84PW
Infineon Technologies

BSS84PW

BAGIAN SAHAM: 246

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 10V,

Untuk Wishlist.
BSS84PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS84PL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 264

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

Untuk Wishlist.
BSS192PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS192PL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 303

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.8V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 190mA, 10V,

Untuk Wishlist.
BSS7728N
Infineon Technologies

BSS7728N

BAGIAN SAHAM: 298

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Untuk Wishlist.
BSS138NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS138NL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 227

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Untuk Wishlist.
BSS138W E6327
Infineon Technologies

BSS138W E6327

BAGIAN SAHAM: 295

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 280mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Untuk Wishlist.
BSS123L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS123L6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 228

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Untuk Wishlist.
BSP92PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP92PL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 265

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 260mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 260mA, 10V,

Untuk Wishlist.
BSP89L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP89L6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 257

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 240V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

Untuk Wishlist.
BSP613PL6327HUSA1
Infineon Technologies

BSP613PL6327HUSA1

BAGIAN SAHAM: 321

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 2.9A, 10V,

Untuk Wishlist.
BSP372L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP372L6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 290

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 310 mOhm @ 1.7A, 5V,

Untuk Wishlist.
BSP373L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP373L6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 6061

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.7A, 10V,

Untuk Wishlist.
BSP316PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP316PL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 238

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 680mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 680mA, 10V,

Untuk Wishlist.
BSP317PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP317PL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 303

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 430mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 430mA, 10V,

Untuk Wishlist.
BSP297L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP297L6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 301

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 660mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Untuk Wishlist.
BSP315PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP315PL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 253

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.17A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 1.17A, 10V,

Untuk Wishlist.
BSP296L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP296L6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 270

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.1A, 10V,

Untuk Wishlist.
BSP295L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP295L6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 290

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V,

Untuk Wishlist.
BSP171PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP171PL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 6106

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

Untuk Wishlist.
BSP170PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP170PL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 276

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

Untuk Wishlist.
BSO300N03S
Infineon Technologies

BSO300N03S

BAGIAN SAHAM: 251

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.2A, 10V,

Untuk Wishlist.
BSO200N03S
Infineon Technologies

BSO200N03S

BAGIAN SAHAM: 232

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.8A, 10V,

Untuk Wishlist.
BSO072N03S
Infineon Technologies

BSO072N03S

BAGIAN SAHAM: 276

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 15A, 10V,

Untuk Wishlist.