Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

BUK6C2R1-55C,118
Nexperia USA Inc.

BUK6C2R1-55C,118

BAGIAN SAHAM: 46841

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 228A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 90A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK969R0-60E,118
Nexperia USA Inc.

BUK969R0-60E,118

BAGIAN SAHAM: 102324

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK9Y30-75B/C2,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y30-75B/C2,115

BAGIAN SAHAM: 1130

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 34A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 15A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK9Y19-55B/C2,115
Nexperia USA Inc.

BUK9Y19-55B/C2,115

BAGIAN SAHAM: 1164

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 46A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17.3 mOhm @ 20A, 10V,

Untuk Wishlist.
BSP110,115
Nexperia USA Inc.

BSP110,115

BAGIAN SAHAM: 1086

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 520mA (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 150mA, 5V,

Untuk Wishlist.
BUK6E2R0-30C,127
Nexperia USA Inc.

BUK6E2R0-30C,127

BAGIAN SAHAM: 31040

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK6507-75C,127
Nexperia USA Inc.

BUK6507-75C,127

BAGIAN SAHAM: 1003

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK7607-30B,118
Nexperia USA Inc.

BUK7607-30B,118

BAGIAN SAHAM: 156921

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK725R0-40C,118
Nexperia USA Inc.

BUK725R0-40C,118

BAGIAN SAHAM: 145924

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK724R5-30C,118
Nexperia USA Inc.

BUK724R5-30C,118

BAGIAN SAHAM: 145943

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK763R6-40C,118
Nexperia USA Inc.

BUK763R6-40C,118

BAGIAN SAHAM: 1007

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK754R0-40C,127
Nexperia USA Inc.

BUK754R0-40C,127

BAGIAN SAHAM: 1037

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK761R8-30C,118
NXP USA Inc.

BUK761R8-30C,118

BAGIAN SAHAM: 978

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK7619-100B,118
NXP USA Inc.

BUK7619-100B,118

BAGIAN SAHAM: 6106

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BSC0908NSATMA1
Infineon Technologies

BSC0908NSATMA1

BAGIAN SAHAM: 1017

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 34V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 49A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

Untuk Wishlist.
BSS816NW L6327
Infineon Technologies

BSS816NW L6327

BAGIAN SAHAM: 875

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 2.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V,

Untuk Wishlist.
BSS314PEL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS314PEL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 879

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 10V,

Untuk Wishlist.
BSS806NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS806NL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 961

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 2.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V,

Untuk Wishlist.
BSS159NH6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS159NH6327XTSA1

BAGIAN SAHAM: 894

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

Untuk Wishlist.
BSS127H6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS127H6327XTSA1

BAGIAN SAHAM: 920

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 21mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Untuk Wishlist.
BSS126H6327XTSA1
Infineon Technologies

BSS126H6327XTSA1

BAGIAN SAHAM: 899

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 21mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Untuk Wishlist.
BSF083N03LQ G
Infineon Technologies

BSF083N03LQ G

BAGIAN SAHAM: 6168

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 53A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 20A, 10V,

Untuk Wishlist.
BSF053N03LT G
Infineon Technologies

BSF053N03LT G

BAGIAN SAHAM: 917

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 71A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 30A, 10V,

Untuk Wishlist.
BSB024N03LX G
Infineon Technologies

BSB024N03LX G

BAGIAN SAHAM: 881

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 145A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 10V,

Untuk Wishlist.
BSB053N03LP G
Infineon Technologies

BSB053N03LP G

BAGIAN SAHAM: 882

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 30A, 10V,

Untuk Wishlist.
BSB019N03LX G
Infineon Technologies

BSB019N03LX G

BAGIAN SAHAM: 1636

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 174A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 30A, 10V,

Untuk Wishlist.
BSS205NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS205NL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 867

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Untuk Wishlist.
BSO220N03MSGXUMA1
Infineon Technologies

BSO220N03MSGXUMA1

BAGIAN SAHAM: 941

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 8.6A, 10V,

Untuk Wishlist.
BSL802SNL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSL802SNL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 843

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 2.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 2.5V,

Untuk Wishlist.
BSL302SNL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSL302SNL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 912

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V,

Untuk Wishlist.
BSD214SN L6327
Infineon Technologies

BSD214SN L6327

BAGIAN SAHAM: 923

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Untuk Wishlist.
BSC200P03LSGAUMA1
Infineon Technologies

BSC200P03LSGAUMA1

BAGIAN SAHAM: 884

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 12.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12.5A, 10V,

Untuk Wishlist.
BSS215PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS215PL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 873

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Untuk Wishlist.
BSS315PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS315PL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 914

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 10V,

Untuk Wishlist.
BSO130N03MSGXUMA1
Infineon Technologies

BSO130N03MSGXUMA1

BAGIAN SAHAM: 855

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 11.1A, 10V,

Untuk Wishlist.
BSS83PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS83PL6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 886

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 330mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 330mA, 10V,

Untuk Wishlist.