Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

BUK7C1R8-60EJ
NXP USA Inc.

BUK7C1R8-60EJ

BAGIAN SAHAM: 6258

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V,

Untuk Wishlist.
BUK7C1R4-40EJ
NXP USA Inc.

BUK7C1R4-40EJ

BAGIAN SAHAM: 2529

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V,

Untuk Wishlist.
BUK7C1R2-40EJ
NXP USA Inc.

BUK7C1R2-40EJ

BAGIAN SAHAM: 2518

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V,

Untuk Wishlist.
BUK9Y9R9-80E,115
NXP USA Inc.

BUK9Y9R9-80E,115

BAGIAN SAHAM: 2547

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V,

Untuk Wishlist.
BUK9Y98-80E,115
NXP USA Inc.

BUK9Y98-80E,115

BAGIAN SAHAM: 2588

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V,

Untuk Wishlist.
BUK9Y7R8-80E,115
NXP USA Inc.

BUK9Y7R8-80E,115

BAGIAN SAHAM: 2582

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V,

Untuk Wishlist.
BUK9E1R8-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E1R8-40E,127

BAGIAN SAHAM: 2573

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK9E8R5-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E8R5-40E,127

BAGIAN SAHAM: 6339

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK9E6R1-100E,127
NXP USA Inc.

BUK9E6R1-100E,127

BAGIAN SAHAM: 2510

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK9E4R9-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E4R9-60E,127

BAGIAN SAHAM: 2556

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK9E4R4-80E,127
NXP USA Inc.

BUK9E4R4-80E,127

BAGIAN SAHAM: 2545

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK9E3R7-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E3R7-60E,127

BAGIAN SAHAM: 2588

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK9E2R8-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E2R8-60E,127

BAGIAN SAHAM: 2547

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK9E3R2-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E3R2-40E,127

BAGIAN SAHAM: 2570

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK9E1R9-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E1R9-40E,127

BAGIAN SAHAM: 2502

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V,

Untuk Wishlist.
BUK9E2R3-40E,127
NXP USA Inc.

BUK9E2R3-40E,127

BAGIAN SAHAM: 2570

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK9E1R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK9E1R6-30E,127

BAGIAN SAHAM: 2576

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK9E15-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9E15-60E,127

BAGIAN SAHAM: 2588

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK956R1-100E,127
NXP USA Inc.

BUK956R1-100E,127

BAGIAN SAHAM: 6333

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK958R5-40E,127
NXP USA Inc.

BUK958R5-40E,127

BAGIAN SAHAM: 2510

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK954R4-80E,127
NXP USA Inc.

BUK954R4-80E,127

BAGIAN SAHAM: 2512

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK952R8-60E,127
NXP USA Inc.

BUK952R8-60E,127

BAGIAN SAHAM: 2572

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK952R3-40E,127
NXP USA Inc.

BUK952R3-40E,127

BAGIAN SAHAM: 6262

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK951R9-40E,127
NXP USA Inc.

BUK951R9-40E,127

BAGIAN SAHAM: 2587

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK951R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK951R6-30E,127

BAGIAN SAHAM: 6281

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK7E4R0-80E,127
NXP USA Inc.

BUK7E4R0-80E,127

BAGIAN SAHAM: 2546

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK9515-60E,127
NXP USA Inc.

BUK9515-60E,127

BAGIAN SAHAM: 2529

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 15A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK7E1R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK7E1R6-30E,127

BAGIAN SAHAM: 6300

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK753R5-60E,127
NXP USA Inc.

BUK753R5-60E,127

BAGIAN SAHAM: 2561

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK751R6-30E,127
NXP USA Inc.

BUK751R6-30E,127

BAGIAN SAHAM: 6316

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK7Y08-40B/C,115
NXP USA Inc.

BUK7Y08-40B/C,115

BAGIAN SAHAM: 2544

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK7Y25-40B/C,115
NXP USA Inc.

BUK7Y25-40B/C,115

BAGIAN SAHAM: 2544

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK655R0-75C,127
NXP USA Inc.

BUK655R0-75C,127

BAGIAN SAHAM: 2509

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK654R6-55C,127
NXP USA Inc.

BUK654R6-55C,127

BAGIAN SAHAM: 2550

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK653R7-30C,127
NXP USA Inc.

BUK653R7-30C,127

BAGIAN SAHAM: 2483

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
BUK654R0-75C,127
NXP USA Inc.

BUK654R0-75C,127

BAGIAN SAHAM: 2520

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.