Transistor - FET, MOSFET - Tunggal | Produk Semikonduktor Diskrit | 100

AUIRFU8403

BAGIAN SAHAM: 91384

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 76A, 10V,

Untuk Wishlist.

Infineon Technologies

AUIRFR48ZTRL

BAGIAN SAHAM: 91395

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 37A, 10V,

Untuk Wishlist.

Infineon Technologies

AUIRFU540Z

BAGIAN SAHAM: 91507

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28.5 mOhm @ 21A, 10V,

Untuk Wishlist.

Infineon Technologies

AUIRFR540ZTRL

BAGIAN SAHAM: 93233

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28.5 mOhm @ 21A, 10V,

Untuk Wishlist.

Infineon Technologies

AUIRF7478QTR

BAGIAN SAHAM: 94891

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 4.2A, 10V,

Untuk Wishlist.

Infineon Technologies

AUIRLR2905TRL

BAGIAN SAHAM: 94911

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.

Infineon Technologies

AUIRFZ34N

BAGIAN SAHAM: 92537

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 16A, 10V,

Untuk Wishlist.

Infineon Technologies

AUIRLZ24NS

BAGIAN SAHAM: 94490

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 11A, 10V,

Untuk Wishlist.

Infineon Technologies

AUIRFR2905ZTRL

BAGIAN SAHAM: 95517

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 36A, 10V,

Untuk Wishlist.

Infineon Technologies

AUIRL7732S2TR

BAGIAN SAHAM: 99492

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 35A, 10V,

Untuk Wishlist.

Infineon Technologies

AUIRFU8401

BAGIAN SAHAM: 101247

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.25 mOhm @ 60A, 10V,

Untuk Wishlist.

Infineon Technologies

AUIRFR8401TRL

BAGIAN SAHAM: 101221

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.25 mOhm @ 60A, 10V,

Untuk Wishlist.

Infineon Technologies

AUIRFU4292

BAGIAN SAHAM: 105733

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 345 mOhm @ 5.6A, 10V,

Untuk Wishlist.

Infineon Technologies

AUIRFR4292TRL

BAGIAN SAHAM: 105718

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 345 mOhm @ 5.6A, 10V,

Untuk Wishlist.

Infineon Technologies

AUIRFR4105ZTRL

BAGIAN SAHAM: 106733

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24.5 mOhm @ 18A, 10V,

Untuk Wishlist.

Infineon Technologies

AUIRFR3806TRL

BAGIAN SAHAM: 108149

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.

Infineon Technologies

AUIRFR5505TRL

BAGIAN SAHAM: 108091

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 9.6A, 10V,

Untuk Wishlist.

Infineon Technologies

AUIRLR3410TRL

BAGIAN SAHAM: 108074

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V,

Untuk Wishlist.

Infineon Technologies

AUIRLR3410TR

BAGIAN SAHAM: 109951

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V,

Untuk Wishlist.

Infineon Technologies

AUIRF7732S2TR

BAGIAN SAHAM: 111753

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.95 mOhm @ 33A, 10V,

Untuk Wishlist.

Infineon Technologies

AUIRF7647S2TR

BAGIAN SAHAM: 118381

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 24A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 14A, 10V,

Untuk Wishlist.

Infineon Technologies

AUIRLL2705TR

BAGIAN SAHAM: 121940

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3.8A, 10V,

Untuk Wishlist.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOWF7S65

BAGIAN SAHAM: 89484

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 3.5A, 10V,

Untuk Wishlist.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO7401

BAGIAN SAHAM: 176825

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.2A, 10V,

Untuk Wishlist.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF7S65

BAGIAN SAHAM: 93286

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 3.5A, 10V,

Untuk Wishlist.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO3435

BAGIAN SAHAM: 138087

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

Untuk Wishlist.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD4185

BAGIAN SAHAM: 115384

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V,

Untuk Wishlist.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO3419

BAGIAN SAHAM: 130192

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.5A, 10V,

Untuk Wishlist.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7522E

BAGIAN SAHAM: 148125

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 34A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V,

Untuk Wishlist.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOI7S65

BAGIAN SAHAM: 103381

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 3.5A, 10V,

Untuk Wishlist.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4421

BAGIAN SAHAM: 174381

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6.2A, 10V,

Untuk Wishlist.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4485

BAGIAN SAHAM: 182062

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 10A, 10V,

Untuk Wishlist.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7410

BAGIAN SAHAM: 145659

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 24A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

Untuk Wishlist.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD4184A

BAGIAN SAHAM: 147295

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 20A, 10V,

Untuk Wishlist.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOU4S60

BAGIAN SAHAM: 117460

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2A, 10V,

Untuk Wishlist.

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOWF4S60

BAGIAN SAHAM: 116809

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2A, 10V,

Untuk Wishlist.