Tipe | Deskripsi |
Status Bagian | Active |
---|---|
Tipe FET | N-Channel |
Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) |
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 1000V |
Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif) | 10V |
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 390 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 5.5V @ 8mA |
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 267nC @ 10V |
Vgs (Maks) | ±20V |
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 8700pF @ 25V |
Fitur FET | - |
Disipasi Daya (Maks) | 560W (Tc) |
Suhu Operasional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Jenis pemasangan: | Through Hole |
Paket Perangkat Pemasok | TO-264AA (IXFK) |
Paket / Kasus | TO-264-3, TO-264AA |
ROHS Status | Compliant RoHS. |
---|---|
Tingkat sensitivitas kelembaban (MSL) | Tak dapat diterapkan |
Status siklus hidup | Usang / Akhir Kehidupan |
Stok kategori. | Stok tersedia |