Tipe | Deskripsi |
Status Bagian | Active |
---|---|
Tipe FET | N-Channel |
Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) |
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 60V |
Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C | 195A (Tc) |
Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif) | 10V |
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 170A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Vgs (Maks) | ±20V |
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 8970pF @ 50V |
Fitur FET | - |
Disipasi Daya (Maks) | 375W (Tc) |
Suhu Operasional | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Jenis pemasangan: | Through Hole |
Paket Perangkat Pemasok | TO-262 |
Paket / Kasus | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
ROHS Status | Compliant RoHS. |
---|---|
Tingkat sensitivitas kelembaban (MSL) | Tak dapat diterapkan |
Status siklus hidup | Usang / Akhir Kehidupan |
Stok kategori. | Stok tersedia |