Tipe | Deskripsi |
Status Bagian | Obsolete |
---|---|
Tipe FET | N-Channel |
Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) |
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 25V |
Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 39A (Tc) |
Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif) | 4.5V, 10V |
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 7.8 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Vgs (Maks) | ±20V |
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 1010pF @ 13V |
Fitur FET | - |
Disipasi Daya (Maks) | 1.8W (Ta), 21W (Tc) |
Suhu Operasional | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Jenis pemasangan: | Surface Mount |
Paket Perangkat Pemasok | DIRECTFET S1 |
Paket / Kasus | DirectFET™ Isometric S1 |
ROHS Status | Compliant RoHS. |
---|---|
Tingkat sensitivitas kelembaban (MSL) | Tak dapat diterapkan |
Status siklus hidup | Usang / Akhir Kehidupan |
Stok kategori. | Stok tersedia |