Tipe | Deskripsi |
Status Bagian | Active |
---|---|
Tipe FET | P-Channel |
Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) |
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 50V |
Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C | 180mA (Ta) |
Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif) | 10V |
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 100mA, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 0.35nC @ 5V |
Vgs (Maks) | ±20V |
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 36pF @ 25V |
Fitur FET | - |
Disipasi Daya (Maks) | 350mW (Ta), 1.14W (Tc) |
Suhu Operasional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Jenis pemasangan: | Surface Mount |
Paket Perangkat Pemasok | TO-236AB |
Paket / Kasus | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
ROHS Status | Compliant RoHS. |
---|---|
Tingkat sensitivitas kelembaban (MSL) | Tak dapat diterapkan |
Status siklus hidup | Usang / Akhir Kehidupan |
Stok kategori. | Stok tersedia |