| Tipe | Deskripsi |
| Status Bagian | Obsolete |
|---|---|
| Tipe FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Fitur FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C | 36A |
| Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 5V @ 5mA |
| Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs | 308nC @ 10V |
| Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds | 8700pF @ 25V |
| Daya - Maks | 694W |
| Suhu Operasional | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Jenis pemasangan: | Chassis Mount |
| Paket / Kasus | SP4 |
| Paket Perangkat Pemasok | SP4 |
| ROHS Status | Compliant RoHS. |
|---|---|
| Tingkat sensitivitas kelembaban (MSL) | Tak dapat diterapkan |
| Status siklus hidup | Usang / Akhir Kehidupan |
| Stok kategori. | Stok tersedia |
