Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Rumah
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Texas Instruments

CSD25501F3T

BAGIAN SAHAM: 25305

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 400mA, 4.5V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD15380F3T

BAGIAN SAHAM: 198409

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 8V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1190 mOhm @ 100mA, 8V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD25213W10

BAGIAN SAHAM: 116507

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 1A, 4.5V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD17382F4

BAGIAN SAHAM: 120890

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 8V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 500mA, 8V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD23202W10T

BAGIAN SAHAM: 155754

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD23285F5T

BAGIAN SAHAM: 185252

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 1A, 4.5V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD23280F3T

BAGIAN SAHAM: 135142

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 116 mOhm @ 400mA, 4.5V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD18504Q5A

BAGIAN SAHAM: 177977

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 17A, 10V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD13380F3

BAGIAN SAHAM: 176607

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 400mA, 4.5V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD16404Q5A

BAGIAN SAHAM: 168237

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 81A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD17309Q3

BAGIAN SAHAM: 156654

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3V, 8V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 18A, 8V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD18540Q5B

BAGIAN SAHAM: 67662

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 28A, 10V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD17382F4T

BAGIAN SAHAM: 195986

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 8V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 500mA, 8V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD18501Q5A

BAGIAN SAHAM: 100862

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD17551Q5A

BAGIAN SAHAM: 179129

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD18540Q5BT

BAGIAN SAHAM: 42030

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 28A, 10V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD13381F4T

BAGIAN SAHAM: 165664

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD17381F4T

BAGIAN SAHAM: 144152

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 109 mOhm @ 500mA, 8V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD25483F4

BAGIAN SAHAM: 144306

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 205 mOhm @ 500mA, 8V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD17307Q5A

BAGIAN SAHAM: 190878

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 73A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3V, 8V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 11A, 8V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD17313Q2

BAGIAN SAHAM: 170829

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 3V, 8V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 8V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD18503Q5A

BAGIAN SAHAM: 127319

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 22A, 10V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD25480F3T

BAGIAN SAHAM: 153462

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 8V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 132 mOhm @ 400mA, 8V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD16406Q3

BAGIAN SAHAM: 158578

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD18537NQ5A

BAGIAN SAHAM: 106190

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD18533Q5A

BAGIAN SAHAM: 127318

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD19533Q5A

BAGIAN SAHAM: 121932

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 13A, 10V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD17483F4T

BAGIAN SAHAM: 122574

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 8V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD19531Q5AT

BAGIAN SAHAM: 59729

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 16A, 10V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD17551Q3A

BAGIAN SAHAM: 136111

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD19534Q5A

BAGIAN SAHAM: 172649

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15.1 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD18543Q3AT

BAGIAN SAHAM: 118711

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15.6 mOhm @ 12A, 4.5V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD23382F4

BAGIAN SAHAM: 169533

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD18563Q5A

BAGIAN SAHAM: 100788

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD18532Q5B

BAGIAN SAHAM: 69282

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

Texas Instruments

CSD17381F4

BAGIAN SAHAM: 171942

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 109 mOhm @ 500mA, 8A,

Wishlist.

278

«
1
2
3
4
5
6
7
8
»