Menu
IndonesiaIndonesia
0RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
STL24N65M2
STMicroelectronics

STL24N65M2

BAGIAN SAHAM: 45558

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.
STL120N8F7
STMicroelectronics

STL120N8F7

BAGIAN SAHAM: 69151

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 11.5A, 10V,

Wishlist.
STB8N90K5
STMicroelectronics

STB8N90K5

BAGIAN SAHAM: 45143

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 1.17A, 10V,

Wishlist.
STL90N6F7
STMicroelectronics

STL90N6F7

BAGIAN SAHAM: 79361

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 10.5A, 10V,

Wishlist.
STH170N8F7-2
STMicroelectronics

STH170N8F7-2

BAGIAN SAHAM: 50646

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 60A, 10V,

Wishlist.
STL18N60M2
STMicroelectronics

STL18N60M2

BAGIAN SAHAM: 25674

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 308 mOhm @ 4.5A, 10V,

Wishlist.
STL8N80K5
STMicroelectronics

STL8N80K5

BAGIAN SAHAM: 46437

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 3A, 10V,

Wishlist.
STL18NM60N
STMicroelectronics

STL18NM60N

BAGIAN SAHAM: 36858

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), 12A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 310 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.
STT4P3LLH6
STMicroelectronics

STT4P3LLH6

BAGIAN SAHAM: 136366

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 2A, 10V,

Wishlist.
STL160N4F7
STMicroelectronics

STL160N4F7

BAGIAN SAHAM: 92248

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 16A, 10V,

Wishlist.
STP8N120K5
STMicroelectronics

STP8N120K5

BAGIAN SAHAM: 264

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2.5A, 10V,

Wishlist.
STB28N60M2
STMicroelectronics

STB28N60M2

BAGIAN SAHAM: 29060

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 11A, 10V,

Wishlist.
STL10LN80K5
STMicroelectronics

STL10LN80K5

BAGIAN SAHAM: 50822

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 660 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.
STF17N80K5
STMicroelectronics

STF17N80K5

BAGIAN SAHAM: 34006

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 340 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.
STB21N90K5
STMicroelectronics

STB21N90K5

BAGIAN SAHAM: 19138

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.
STL22N65M5
STMicroelectronics

STL22N65M5

BAGIAN SAHAM: 51771

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 8.5A, 10V,

Wishlist.
STB20N65M5
STMicroelectronics

STB20N65M5

BAGIAN SAHAM: 47643

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.
STP260N4F7
STMicroelectronics

STP260N4F7

BAGIAN SAHAM: 39611

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 60A, 10V,

Wishlist.
STL4N10F7
STMicroelectronics

STL4N10F7

BAGIAN SAHAM: 85831

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 18A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 2.25A, 10V,

Wishlist.
STH272N6F7-6AG
STMicroelectronics

STH272N6F7-6AG

BAGIAN SAHAM: 33572

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 90A, 10V,

Wishlist.
STL220N6F7
STMicroelectronics

STL220N6F7

BAGIAN SAHAM: 41752

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 260A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
STH6N95K5-2
STMicroelectronics

STH6N95K5-2

BAGIAN SAHAM: 59673

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 950V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 3A, 10V,

Wishlist.
STF13N65M2
STMicroelectronics

STF13N65M2

BAGIAN SAHAM: 36457

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.
STB34N50DM2AG
STMicroelectronics

STB34N50DM2AG

BAGIAN SAHAM: 32430

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 12.5A, 10V,

Wishlist.
STW48N60M2-4
STMicroelectronics

STW48N60M2-4

BAGIAN SAHAM: 6883

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 21A, 10V,

Wishlist.
STP21N90K5
STMicroelectronics

STP21N90K5

BAGIAN SAHAM: 9849

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.
STW38N65M5
STMicroelectronics

STW38N65M5

BAGIAN SAHAM: 11124

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.
STFU9N65M2
STMicroelectronics

STFU9N65M2

BAGIAN SAHAM: 325

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 2.5A, 10V,

Wishlist.
STL7N80K5
STMicroelectronics

STL7N80K5

BAGIAN SAHAM: 67637

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 3A, 10V,

Wishlist.
STP150N10F7
STMicroelectronics

STP150N10F7

BAGIAN SAHAM: 19522

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 55A, 10V,

Wishlist.
STB28N65M2
STMicroelectronics

STB28N65M2

BAGIAN SAHAM: 50397

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.
STP23N80K5
STMicroelectronics

STP23N80K5

BAGIAN SAHAM: 16312

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 8A, 10V,

Wishlist.
STL60P4LLF6
STMicroelectronics

STL60P4LLF6

BAGIAN SAHAM: 172340

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 6.5A, 10V,

Wishlist.
STB20N60M2-EP
STMicroelectronics

STB20N60M2-EP

BAGIAN SAHAM: 57402

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V,

Wishlist.
STW23N80K5
STMicroelectronics

STW23N80K5

BAGIAN SAHAM: 13277

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 8A, 10V,

Wishlist.
STF10P6F6
STMicroelectronics

STF10P6F6

BAGIAN SAHAM: 182899

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.