Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Aplikasi: General Purpose, Antarmuka: On/Off, Jenis beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Aktif (Ketik): 1.53 Ohm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Aplikasi: General Purpose, Antarmuka: On/Off, Jenis beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Aktif (Ketik): 400 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Aplikasi: General Purpose, Antarmuka: On/Off, Jenis beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Aktif (Ketik): 1 Ohm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Aplikasi: General Purpose, Antarmuka: On/Off, Jenis beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Aktif (Ketik): 740 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Aplikasi: General Purpose, Antarmuka: On/Off, Jenis beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Aktif (Ketik): 600 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Aplikasi: General Purpose, Antarmuka: On/Off, Jenis beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Aktif (Ketik): 1 Ohm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Aplikasi: General Purpose, Antarmuka: On/Off, Jenis beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Aktif (Ketik): 740 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Aplikasi: General Purpose, Antarmuka: On/Off, Jenis beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Aktif (Ketik): 260 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Aplikasi: General Purpose, Antarmuka: On/Off, Jenis beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Aktif (Ketik): 600 mOhm,
Konfigurasi Keluaran: Half Bridge, Aplikasi: General Purpose, Antarmuka: On/Off, Jenis beban: Inductive, Teknologi: Power MOSFET, Rds Aktif (Ketik): 1.53 Ohm,