Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

2SK3047

2SK3047

BAGIAN SAHAM: 8914

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

Wishlist.
2SK3044

2SK3044

BAGIAN SAHAM: 8928

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 450V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.
FM6K62010L

FM6K62010L

BAGIAN SAHAM: 139710

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 1A, 4V,

Wishlist.
FK3506010L

FK3506010L

BAGIAN SAHAM: 128171

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

Wishlist.
MTM861240LBF

MTM861240LBF

BAGIAN SAHAM: 149538

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 4V,

Wishlist.
FL6L52030L

FL6L52030L

BAGIAN SAHAM: 106438

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 500mA, 4V,

Wishlist.
MTM861280LBF

MTM861280LBF

BAGIAN SAHAM: 136480

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 500mA, 4V,

Wishlist.
FL6L52070L

FL6L52070L

BAGIAN SAHAM: 110076

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 500mA, 4V,

Wishlist.
SK8403160L

SK8403160L

BAGIAN SAHAM: 154055

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 70A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 14.5A, 10V,

Wishlist.
FM6L52020L

FM6L52020L

BAGIAN SAHAM: 184582

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 1A, 4V,

Wishlist.
FJ3303010L

FJ3303010L

BAGIAN SAHAM: 139518

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 10mA, 4V,

Wishlist.
SK8403190L

SK8403190L

BAGIAN SAHAM: 140816

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 19A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 70A, 10V,

Wishlist.
FK3906010L

FK3906010L

BAGIAN SAHAM: 191710

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

Wishlist.
MTM761110LBF

MTM761110LBF

BAGIAN SAHAM: 132833

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 1A, 4.5V,

Wishlist.
MTM861270LBF

MTM861270LBF

BAGIAN SAHAM: 186233

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4V,

Wishlist.
FK8V03020L

FK8V03020L

BAGIAN SAHAM: 179758

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 33V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.
FJ3P02100L

FJ3P02100L

BAGIAN SAHAM: 170336

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 3.7A, 4.5V,

Wishlist.
SK8603150L

SK8603150L

BAGIAN SAHAM: 49829

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 89A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.
FK8V03060L

FK8V03060L

BAGIAN SAHAM: 119517

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 33V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 3.3A, 10V,

Wishlist.
MTM981400BBF

MTM981400BBF

BAGIAN SAHAM: 60210

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.
SK8403170L

SK8403170L

BAGIAN SAHAM: 170273

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 59A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.
FK8V03030L

FK8V03030L

BAGIAN SAHAM: 134632

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 33V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.
FL6L52010L

FL6L52010L

BAGIAN SAHAM: 146849

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8 V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4V,

Wishlist.
MTM982400BBF

MTM982400BBF

BAGIAN SAHAM: 50877

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.
MTM761230LBF

MTM761230LBF

BAGIAN SAHAM: 110440

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 1A, 4V,

Wishlist.
FK6K02010L

FK6K02010L

BAGIAN SAHAM: 118686

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17.5 mOhm @ 2A, 4.5V,

Wishlist.
FK8V03050L

FK8V03050L

BAGIAN SAHAM: 191195

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 33V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 4A, 10V,

Wishlist.
FK8V03040L

FK8V03040L

BAGIAN SAHAM: 147375

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 33V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 5A, 10V,

Wishlist.
SK8603160L

SK8603160L

BAGIAN SAHAM: 151831

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 70A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 17A, 10V,

Wishlist.
FK3P02110L

FK3P02110L

BAGIAN SAHAM: 116460

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 24V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 3A, 2.5V,

Wishlist.
FL5252050R

FL5252050R

BAGIAN SAHAM: 159382

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 4V,

Wishlist.
MTM131270BBF

MTM131270BBF

BAGIAN SAHAM: 113071

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8 V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 1A, 4V,

Wishlist.
FJ6K01010L

FJ6K01010L

BAGIAN SAHAM: 149431

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 1A, 4.5V,

Wishlist.
SK8603190L

SK8603190L

BAGIAN SAHAM: 172926

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 19A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 8A, 10V,

Wishlist.
SK8603140L

SK8603140L

BAGIAN SAHAM: 98069

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 103A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 23A, 10V,

Wishlist.
FL6L52060L

FL6L52060L

BAGIAN SAHAM: 137602

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8 V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4V,

Wishlist.