Transistor - FET, MOSFET - Tunggal | Produk Semikonduktor Diskrit | 17

APT1002RBNG

BAGIAN SAHAM: 6299

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 4A, 10V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT1001RBN

BAGIAN SAHAM: 2149

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 5.5A, 10V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT80SM120S

BAGIAN SAHAM: 2172

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 40A, 20V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT80SM120J

BAGIAN SAHAM: 2121

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 40A, 20V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT80SM120B

BAGIAN SAHAM: 2112

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 40A, 20V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT70SM70J

BAGIAN SAHAM: 6264

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 700V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 49A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 32.5A, 20V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT70SM70S

BAGIAN SAHAM: 2124

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 700V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 32.5A, 20V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT25SM120S

BAGIAN SAHAM: 2166

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 10A, 20V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT70SM70B

BAGIAN SAHAM: 2170

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 700V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 32.5A, 20V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT25SM120B

BAGIAN SAHAM: 2084

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 10A, 20V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT7M120B

BAGIAN SAHAM: 9685

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3A, 10V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT50MC120JCU2

BAGIAN SAHAM: 704

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 71A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT40SM120S

BAGIAN SAHAM: 2514

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 20A, 20V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT40SM120B

BAGIAN SAHAM: 1859

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 20A, 20V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APTML50UM90R020T1AG

BAGIAN SAHAM: 1625

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 108 mOhm @ 26A, 10V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM120DA30CT1G

BAGIAN SAHAM: 1333

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APTML20UM18R010T1AG

BAGIAN SAHAM: 1604

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 109A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT14M100S

BAGIAN SAHAM: 8207

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 880 mOhm @ 7A, 10V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT18M80S

BAGIAN SAHAM: 1606

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT12057JLL

BAGIAN SAHAM: 1638

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 570 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT53N60SC6

BAGIAN SAHAM: 1604

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 25.8A, 10V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT12067JLL

BAGIAN SAHAM: 1582

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 570 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APTM100DA18CT1G

BAGIAN SAHAM: 6180

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 216 mOhm @ 33A, 10V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC60DAM24CT1G

BAGIAN SAHAM: 1620

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 95A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APTC90DAM60CT1G

BAGIAN SAHAM: 1078

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 59A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT33N90JCCU3

BAGIAN SAHAM: 1668

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT33N90JCCU2

BAGIAN SAHAM: 2047

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 900V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT20M120JCU3

BAGIAN SAHAM: 2243

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 672 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT20M120JCU2

BAGIAN SAHAM: 2294

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 672 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT5014SLLG/TR

BAGIAN SAHAM: 6205

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 17.5A, 10V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT38N60SC6

BAGIAN SAHAM: 1657

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APTML60U12R020T1AG

BAGIAN SAHAM: 1584

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 22.5A, 10V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT30N60SC6

BAGIAN SAHAM: 6234

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 14.5A, 10V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT17F100S

BAGIAN SAHAM: 6915

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT9F100S

BAGIAN SAHAM: 1569

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 5A, 10V,

Wishlist.

Microsemi Corporation

APT11F80S

BAGIAN SAHAM: 1633

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.