Transistor - FET, MOSFET - Tunggal | Produk Semikonduktor Diskrit | 1

LSIC1MO120E0080

BAGIAN SAHAM: 1259

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 20A, 20V,

Wishlist.

Littelfuse Inc.

LSIC1MO120E0160

BAGIAN SAHAM: 1034

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 10A, 20V,

Wishlist.

Littelfuse Inc.

LSIC1MO120E0120

BAGIAN SAHAM: 1693

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: SiCFET (Silicon Carbide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 20V,

Wishlist.