Dioda - Penyearah - Array | Produk Semikonduktor Diskrit | 1

SS275TI12205

BAGIAN SAHAM: 747

Konfigurasi Dioda: 3 Independent, Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-rata Diperbaiki (Io) (per Dioda): 5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 5A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io),

Wishlist.

IXYS-RF

SS150TC60110

BAGIAN SAHAM: 709

Konfigurasi Dioda: 3 Common Cathode, Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-rata Diperbaiki (Io) (per Dioda): 10A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 5A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io),

Wishlist.

IXYS-RF

SS150TA60110

BAGIAN SAHAM: 733

Konfigurasi Dioda: 3 Common Anode, Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-rata Diperbaiki (Io) (per Dioda): 10A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 5A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io),

Wishlist.

IXYS-RF

SS275TA12205

BAGIAN SAHAM: 711

Konfigurasi Dioda: 3 Common Anode, Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-rata Diperbaiki (Io) (per Dioda): 5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 5A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io),

Wishlist.

IXYS-RF

SS275TC12205

BAGIAN SAHAM: 751

Konfigurasi Dioda: 3 Common Cathode, Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-rata Diperbaiki (Io) (per Dioda): 5A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 5A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io),

Wishlist.

IXYS-RF

SS150TI60110

BAGIAN SAHAM: 671

Konfigurasi Dioda: 3 Independent, Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 600V, Arus - Rata-rata Diperbaiki (Io) (per Dioda): 10A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 5A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io),

Wishlist.