Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 180A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 100A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4.5V @ 1mA,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1500A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 0.8 mOhm @ 1200A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 10mA,
Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 110A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 60A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 1mA,
Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 4mA,
Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 180A, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4.5V @ 1mA,
Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 36A, 22A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 31A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5.5V @ 250µA,
Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90A, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4.5V @ 1mA,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5V @ 4mA,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 53A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 55A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4.5V @ 250µA,
Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 38A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4.5V @ 1mA,
Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 80A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4.5V @ 250µA,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Fitur FET: Silicon Carbide (SiC), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 58A,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 38A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 25A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5.5V @ 3mA,
Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 110A, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 1mA,
Tipe FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 40A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 116 mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 8mA,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 140A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 50A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 250µA,
Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 180A, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 1mA,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 50A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4.5V @ 250µA,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 150A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 120A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 1mA,
Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 150A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 100A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4.5V @ 1mA,
Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 340A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 250A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 2mA,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 250µA,
Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 210A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 100A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 2mA,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 85V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 112A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 250µA,
Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 35A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 1mA,