Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Rumah
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

IXTA24N65X2

BAGIAN SAHAM: 177

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.

IXFN140N25T

BAGIAN SAHAM: 3060

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 60A, 10V,

Wishlist.

IXTP76N25T

BAGIAN SAHAM: 18894

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

IXTN32P60P

BAGIAN SAHAM: 2961

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

IXFL38N100P

BAGIAN SAHAM: 3146

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 19A, 10V,

Wishlist.

IXFH130N15X3

BAGIAN SAHAM: 163

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 65A, 10V,

Wishlist.

IXTP18P10T

BAGIAN SAHAM: 34292

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 9A, 10V,

Wishlist.

IXTA1R4N100P

BAGIAN SAHAM: 31842

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

IXTT8P50

BAGIAN SAHAM: 11206

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 4A, 10V,

Wishlist.

IXTQ470P2

BAGIAN SAHAM: 12418

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

IXTA2R4N120P

BAGIAN SAHAM: 15068

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

IXTH16N50D2

BAGIAN SAHAM: 8188

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 8A, 0V,

Wishlist.

IXTP4N70X2M

BAGIAN SAHAM: 184

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 700V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 2A, 10V,

Wishlist.

IXFT80N65X2HV

BAGIAN SAHAM: 162

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V,

Wishlist.

IXFQ26N50P3

BAGIAN SAHAM: 15244

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 13A, 10V,

Wishlist.

IXFH50N50P3

BAGIAN SAHAM: 9895

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

IXTH75N10

BAGIAN SAHAM: 5083

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 37.5A, 10V,

Wishlist.

IXFT60N65X2HV

BAGIAN SAHAM: 243

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.

IXFT52N50P2

BAGIAN SAHAM: 7385

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V,

Wishlist.

IXFQ50N60X

BAGIAN SAHAM: 9706

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

IXTT440N055T2

BAGIAN SAHAM: 6942

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 440A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.

IXTF6N200P3

BAGIAN SAHAM: 225

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 2000V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 3A, 10V,

Wishlist.

IXFX27N80Q

BAGIAN SAHAM: 4030

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

IXTT360N055T2

BAGIAN SAHAM: 8847

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 360A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.

IXFR24N80P

BAGIAN SAHAM: 7912

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 12A, 10V,

Wishlist.

IXFK20N120P

BAGIAN SAHAM: 3605

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 570 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

MMIX1F132N50P3

BAGIAN SAHAM: 2036

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 63A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 66A, 10V,

Wishlist.

IXFK27N80Q

BAGIAN SAHAM: 3932

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

IXTP1N100P

BAGIAN SAHAM: 40493

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1000V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

IXFN140N20P

BAGIAN SAHAM: 3280

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 115A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, 15V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 70A, 10V,

Wishlist.

IXTT16N10D2

BAGIAN SAHAM: 7549

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 0V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 8A, 0V,

Wishlist.

IXTX120P20T

BAGIAN SAHAM: 3812

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 60A, 10V,

Wishlist.

IXTP56N15T

BAGIAN SAHAM: 24025

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 56A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 28A, 10V,

Wishlist.

IXTK90P20P

BAGIAN SAHAM: 4142

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

IXTT26N60P

BAGIAN SAHAM: 9802

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 500mA, 10V,

Wishlist.

IXFJ80N25X3

BAGIAN SAHAM: 6605

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 40A, 10V,

Wishlist.

2148

«
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
»