Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Rumah
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Infineon Technologies

SPB80N03S2L-04

BAGIAN SAHAM: 215

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.

IPB100N06S3L-04

Infineon Technologies

IPB100N06S3L-04

BAGIAN SAHAM: 315

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.

IPI60R385CPXKSA1

Infineon Technologies

IPI60R385CPXKSA1

BAGIAN SAHAM: 52394

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 5.2A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

SPP100N06S2-05

BAGIAN SAHAM: 297

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IPB06N03LAT

BAGIAN SAHAM: 68

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.

IPD70P04P409ATMA1

Infineon Technologies

IPD70P04P409ATMA1

BAGIAN SAHAM: 153256

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 73A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 70A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IPB120N06N G

BAGIAN SAHAM: 323

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

SPP80N06S2-09

BAGIAN SAHAM: 293

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.

IPD70N03S4L04ATMA1

Infineon Technologies

IPD70N03S4L04ATMA1

BAGIAN SAHAM: 16512

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 70A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IPUH6N03LB G

BAGIAN SAHAM: 186

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

SPP80N06S2L-06

BAGIAN SAHAM: 213

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 69A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IPP26CNE8N G

BAGIAN SAHAM: 175

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 85V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 35A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRFSL3307ZPBF

BAGIAN SAHAM: 249

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IPB100N06S3-03

BAGIAN SAHAM: 6061

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.

SPP02N60S5HKSA1

Infineon Technologies

SPP02N60S5HKSA1

BAGIAN SAHAM: 202

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.1A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

SPI100N03S2-03

BAGIAN SAHAM: 228

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IPP050N06N G

BAGIAN SAHAM: 194

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.

SPB04N60S5ATMA1

Infineon Technologies

SPB04N60S5ATMA1

BAGIAN SAHAM: 298

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 950 mOhm @ 2.8A, 10V,

Wishlist.

SPD06N60C3BTMA1

Infineon Technologies

SPD06N60C3BTMA1

BAGIAN SAHAM: 90582

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 3.9A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

SPP80N03S2L-03

BAGIAN SAHAM: 6081

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRF6637TR1PBF

BAGIAN SAHAM: 65

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 14A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IPP12CN10N G

BAGIAN SAHAM: 132

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 67A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12.9 mOhm @ 67A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRF6635TRPBF

BAGIAN SAHAM: 6097

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 32A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRF6631TR1PBF

BAGIAN SAHAM: 133

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 57A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 13A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRF6617TR1PBF

BAGIAN SAHAM: 63

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 55A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

SPB80N06S2-08

BAGIAN SAHAM: 247

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 58A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IPUH6N03LA G

BAGIAN SAHAM: 183

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IPP12CNE8N G

BAGIAN SAHAM: 171

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 85V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 67A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12.9 mOhm @ 67A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IPB05N03LB

BAGIAN SAHAM: 122

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 60A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IPI100N06S3-03

BAGIAN SAHAM: 109

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.

SPB80N03S2L-05 G

Infineon Technologies

SPB80N03S2L-05 G

BAGIAN SAHAM: 187

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 55A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IPP08CNE8N G

BAGIAN SAHAM: 165

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 85V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 95A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 95A, 10V,

Wishlist.

SPB73N03S2L-08 G

Infineon Technologies

SPB73N03S2L-08 G

BAGIAN SAHAM: 185

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 73A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 36A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

SPD07N60S5T

BAGIAN SAHAM: 52

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.6A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

SN7002W E6433

BAGIAN SAHAM: 210

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 230mA, 10V,

Wishlist.

SPP07N65C3HKSA1

Infineon Technologies

SPP07N65C3HKSA1

BAGIAN SAHAM: 209

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.6A, 10V,

Wishlist.

3600

«
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
»