Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Rumah
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

Infineon Technologies

IRF3708STRLPBF

BAGIAN SAHAM: 552

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 62A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.8V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRLR7811WCTRRP

BAGIAN SAHAM: 508

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRF6727MTR1PBF

BAGIAN SAHAM: 538

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 32A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRFS4410ZPBF

BAGIAN SAHAM: 24755

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 97A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 58A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRFS3806PBF

BAGIAN SAHAM: 110086

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRL1104STRLPBF

BAGIAN SAHAM: 617

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 104A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 62A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRFR120ZTRLPBF

BAGIAN SAHAM: 484

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 5.2A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRLR3715TRPBF

BAGIAN SAHAM: 552

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 26A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IPD135N03LGXT

BAGIAN SAHAM: 468

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRF8010STRRPBF

BAGIAN SAHAM: 560

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 45A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRF6643TR1PBF

BAGIAN SAHAM: 6060

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 35A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 34.5 mOhm @ 7.6A, 10V,

Wishlist.

IRFR3710ZTRRPBF

Infineon Technologies

IRFR3710ZTRRPBF

BAGIAN SAHAM: 6123

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 33A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRL3103D1SPBF

BAGIAN SAHAM: 6111

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 34A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRF520NSTRRPBF

BAGIAN SAHAM: 503

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 5.7A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRFU3806PBF

BAGIAN SAHAM: 516

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 25A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRF6726MTRPBF

BAGIAN SAHAM: 48649

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 32A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRF6216PBF

BAGIAN SAHAM: 62971

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.3A, 10V,

Wishlist.

IRFU4104-701PBF

Infineon Technologies

IRFU4104-701PBF

BAGIAN SAHAM: 527

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 42A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRF7805ZGTRPBF

BAGIAN SAHAM: 609

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 16A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRLR2705TRRPBF

BAGIAN SAHAM: 496

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 17A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRL2505STRRPBF

BAGIAN SAHAM: 566

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 104A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 54A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRFR3418TRLPBF

BAGIAN SAHAM: 6143

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRF40DM229

BAGIAN SAHAM: 51919

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 159A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.85 mOhm @ 97A, 10V,

Wishlist.

IPD60R385CPBTMA1

Infineon Technologies

IPD60R385CPBTMA1

BAGIAN SAHAM: 383

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 5.2A, 10V,

Wishlist.

IRLR4343-701PBF

Infineon Technologies

IRLR4343-701PBF

BAGIAN SAHAM: 504

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V,

Wishlist.

IRF2807ZSTRRPBF

Infineon Technologies

IRF2807ZSTRRPBF

BAGIAN SAHAM: 562

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.4 mOhm @ 53A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRFR024NTRRPBF

BAGIAN SAHAM: 541

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 10A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRFS7430TRL7PP

BAGIAN SAHAM: 41981

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 240A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 0.75 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRF1018ESLPBF

BAGIAN SAHAM: 603

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 79A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 47A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRF7478QTRPBF

BAGIAN SAHAM: 549

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 4.2A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRF6622TRPBF

BAGIAN SAHAM: 437

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 59A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 15A, 10V,

Wishlist.

IRFR9024NTRRPBF

Infineon Technologies

IRFR9024NTRRPBF

BAGIAN SAHAM: 572

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 6.6A, 10V,

Wishlist.

IRFSL33N15DTRRP

Infineon Technologies

IRFSL33N15DTRRP

BAGIAN SAHAM: 625

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 20A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRFS3307PBF

BAGIAN SAHAM: 6066

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 75A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRFR3911TRPBF

BAGIAN SAHAM: 559

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 8.4A, 10V,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRFR3504TRRPBF

BAGIAN SAHAM: 577

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 30A, 10V,

Wishlist.

3600

«
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
»