Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
IRLR3715PBF
Infineon Technologies

IRLR3715PBF

BAGIAN SAHAM: 1570

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 26A, 10V,

Wishlist.
IPA50R650CE
Infineon Technologies

IPA50R650CE

BAGIAN SAHAM: 1489

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 13V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 1.8A, 13V,

Wishlist.
IRLMS1503TRPBF
Infineon Technologies

IRLMS1503TRPBF

BAGIAN SAHAM: 165335

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V,

Wishlist.
IPW60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies

IPW60R070CFD7XKSA1

BAGIAN SAHAM: 10035

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 15.1A, 10V,

Wishlist.
IRLH6224TR2PBF
Infineon Technologies

IRLH6224TR2PBF

BAGIAN SAHAM: 1354

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 105A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 4.5V,

Wishlist.
SPD50N03S207GBTMA1
Infineon Technologies

SPD50N03S207GBTMA1

BAGIAN SAHAM: 1436

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 50A, 10V,

Wishlist.
IPB60R600C6ATMA1
Infineon Technologies

IPB60R600C6ATMA1

BAGIAN SAHAM: 1422

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.4A, 10V,

Wishlist.
IPB049N06L3GATMA1
Infineon Technologies

IPB049N06L3GATMA1

BAGIAN SAHAM: 6214

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
IPB45N04S4L08ATMA1
Infineon Technologies

IPB45N04S4L08ATMA1

BAGIAN SAHAM: 1227

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 45A, 10V,

Wishlist.
IPB60R385CPATMA1
Infineon Technologies

IPB60R385CPATMA1

BAGIAN SAHAM: 1429

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 5.2A, 10V,

Wishlist.
IPD053N06N3GBTMA1
Infineon Technologies

IPD053N06N3GBTMA1

BAGIAN SAHAM: 1420

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 90A, 10V,

Wishlist.
IPB030N08N3GATMA1
Infineon Technologies

IPB030N08N3GATMA1

BAGIAN SAHAM: 9954

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.
IRLMS5703TRPBF
Infineon Technologies

IRLMS5703TRPBF

BAGIAN SAHAM: 131194

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.6A, 10V,

Wishlist.
IRLU120NPBF
Infineon Technologies

IRLU120NPBF

BAGIAN SAHAM: 84219

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 6A, 10V,

Wishlist.
IPA65R190C6XKSA1
Infineon Technologies

IPA65R190C6XKSA1

BAGIAN SAHAM: 38526

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 7.3A, 10V,

Wishlist.
SPP80P06PHXKSA1
Infineon Technologies

SPP80P06PHXKSA1

BAGIAN SAHAM: 12808

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 64A, 10V,

Wishlist.
IPI65R310CFDXKSA1
Infineon Technologies

IPI65R310CFDXKSA1

BAGIAN SAHAM: 51281

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 310 mOhm @ 4.4A, 10V,

Wishlist.
IPI65R660CFDXKSA1
Infineon Technologies

IPI65R660CFDXKSA1

BAGIAN SAHAM: 71643

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 660 mOhm @ 2.1A, 10V,

Wishlist.
IRFR6215TRLPBF
Infineon Technologies

IRFR6215TRLPBF

BAGIAN SAHAM: 130362

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 6.6A, 10V,

Wishlist.
IPI65R280C6XKSA1
Infineon Technologies

IPI65R280C6XKSA1

BAGIAN SAHAM: 47019

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 4.4A, 10V,

Wishlist.
IPD042P03L3GBTMA1
Infineon Technologies

IPD042P03L3GBTMA1

BAGIAN SAHAM: 1476

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 70A, 10V,

Wishlist.
IPP65R600C6XKSA1
Infineon Technologies

IPP65R600C6XKSA1

BAGIAN SAHAM: 76169

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 650V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

Wishlist.
IPB041N04NGATMA1
Infineon Technologies

IPB041N04NGATMA1

BAGIAN SAHAM: 1446

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 80A, 10V,

Wishlist.
IRF8306MTRPBF
Infineon Technologies

IRF8306MTRPBF

BAGIAN SAHAM: 1248

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 23A, 10V,

Wishlist.
IRLMS6702TRPBF
Infineon Technologies

IRLMS6702TRPBF

BAGIAN SAHAM: 167182

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.7V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.6A, 4.5V,

Wishlist.
IPP120N04S401AKSA1
Infineon Technologies

IPP120N04S401AKSA1

BAGIAN SAHAM: 52617

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.
IPB065N15N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies

IPB065N15N3GE8187ATMA1

BAGIAN SAHAM: 1434

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 8V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.
IPI100N04S4H2AKSA1
Infineon Technologies

IPI100N04S4H2AKSA1

BAGIAN SAHAM: 72273

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.
IPB023N06N3GATMA1
Infineon Technologies

IPB023N06N3GATMA1

BAGIAN SAHAM: 1448

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 100A, 10V,

Wishlist.
SPD30N03S2L20GBTMA1
Infineon Technologies

SPD30N03S2L20GBTMA1

BAGIAN SAHAM: 1400

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 18A, 10V,

Wishlist.
IRFP140NPBF
Infineon Technologies

IRFP140NPBF

BAGIAN SAHAM: 34443

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 16A, 10V,

Wishlist.
IRLTS2242TRPBF
Infineon Technologies

IRLTS2242TRPBF

BAGIAN SAHAM: 144582

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V,

Wishlist.
IRF8306MTR1PBF
Infineon Technologies

IRF8306MTR1PBF

BAGIAN SAHAM: 1377

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 23A, 10V,

Wishlist.
IPB144N12N3GATMA1
Infineon Technologies

IPB144N12N3GATMA1

BAGIAN SAHAM: 9964

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 120V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 56A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14.4 mOhm @ 56A, 10V,

Wishlist.
IRFR812PBF
Infineon Technologies

IRFR812PBF

BAGIAN SAHAM: 1397

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V,

Wishlist.
IPB60R299CPATMA1
Infineon Technologies

IPB60R299CPATMA1

BAGIAN SAHAM: 1478

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 299 mOhm @ 6.6A, 10V,

Wishlist.