Transistor - FET, MOSFET - Tunggal | Produk Semikonduktor Diskrit | 1

HTNFET-D

BAGIAN SAHAM: 199

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Wishlist.

Honeywell Aerospace

HTNFET-T

BAGIAN SAHAM: 199

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Wishlist.

Honeywell Aerospace

HTNFET-TC

BAGIAN SAHAM: 211

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Wishlist.

Honeywell Aerospace

HTNFET-DC

BAGIAN SAHAM: 199

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Wishlist.