Transistor - FET, MOSFET - Array

AO4806L

BAGIAN SAHAM: 2910

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

AO4803L

BAGIAN SAHAM: 2914

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4805L_101

BAGIAN SAHAM: 2939

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.8V @ 250µA,

AO4803AL

BAGIAN SAHAM: 2963

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO4801L

BAGIAN SAHAM: 2906

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.3V @ 250µA,

AO4801AS

BAGIAN SAHAM: 2971

AO4801AL

BAGIAN SAHAM: 2897

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.3V @ 250µA,

AO4801AL_001

BAGIAN SAHAM: 2928

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.3V @ 250µA,

AO4800L

BAGIAN SAHAM: 2903

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AO4616L_102

BAGIAN SAHAM: 3349

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, 7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4614B_101

BAGIAN SAHAM: 2973

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4614BL_103

BAGIAN SAHAM: 2888

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4613_001

BAGIAN SAHAM: 2944

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.2A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

AON6971

BAGIAN SAHAM: 2884

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A, 40A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AO4952

BAGIAN SAHAM: 190149

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AOC2800

BAGIAN SAHAM: 2871

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate,

AON6974A

BAGIAN SAHAM: 2934

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A, 30A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON6970

BAGIAN SAHAM: 2849

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24A, 42A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AON6928

BAGIAN SAHAM: 2893

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A, 30A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AON2809

BAGIAN SAHAM: 2941

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 900mV @ 250µA,

AON6973A

BAGIAN SAHAM: 2858

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A, 30A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON7826

BAGIAN SAHAM: 2861

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AO5803E

BAGIAN SAHAM: 2874

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 900mV @ 250µA,

AO5800E

BAGIAN SAHAM: 2920

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 400mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO5600E

BAGIAN SAHAM: 2939

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 600mA, 500mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

AO4618

BAGIAN SAHAM: 192153

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, 7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AON6974

BAGIAN SAHAM: 2877

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A, 30A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON6936

BAGIAN SAHAM: 2917

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A, 40A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AON6938

BAGIAN SAHAM: 2882

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A, 33A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO6801E

BAGIAN SAHAM: 2875

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AON3613

BAGIAN SAHAM: 2846

Tipe FET: N and P-Channel, Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AON7902

BAGIAN SAHAM: 2909

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, 13A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AON7820

BAGIAN SAHAM: 2905

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

AON6922

BAGIAN SAHAM: 2854

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A, 31A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.7V @ 250µA,

AON6918

BAGIAN SAHAM: 2899

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A, 26.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AON6910A

BAGIAN SAHAM: 2864

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.1A, 16A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,