Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

AOT1N60

BAGIAN SAHAM: 107755

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 650mA, 10V,

AOT20S60L

BAGIAN SAHAM: 22197

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 199 mOhm @ 10A, 10V,

AOT2500L

BAGIAN SAHAM: 19106

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 152A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 20A, 10V,

AOT460_002

BAGIAN SAHAM: 2383

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 30A, 10V,

AON7426_101

BAGIAN SAHAM: 2447

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 18A, 10V,

AOTF8N65_002

BAGIAN SAHAM: 2416

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF8N50_003

BAGIAN SAHAM: 6308

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF8N50_002

BAGIAN SAHAM: 2379

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF7N60_002

BAGIAN SAHAM: 2412

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF4N60_002

BAGIAN SAHAM: 2413

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF4N90_002

BAGIAN SAHAM: 2360

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF22N50_001

BAGIAN SAHAM: 2377

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF20S60_900

BAGIAN SAHAM: 2422

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF20S60_001

BAGIAN SAHAM: 6258

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF18N65_001

BAGIAN SAHAM: 2409

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF16N50_001

BAGIAN SAHAM: 2425

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF14N50_002

BAGIAN SAHAM: 2433

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF12N50_007

BAGIAN SAHAM: 2390

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF12N50_001

BAGIAN SAHAM: 2400

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide),

AOTF11S60_900

BAGIAN SAHAM: 2420

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide),

AOD3N50_003

BAGIAN SAHAM: 2362

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

AOD2N100M

BAGIAN SAHAM: 2357

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide),

AOD3N50_002

BAGIAN SAHAM: 2379

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

AO6405_102

BAGIAN SAHAM: 6321

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

AO6405_101

BAGIAN SAHAM: 2389

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

AO6402A_201

BAGIAN SAHAM: 2354

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.5A, 10V,

AO3416L

BAGIAN SAHAM: 2332

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.8V, 4.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V,

AON7410L_105

BAGIAN SAHAM: 2334

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

AON7430L

BAGIAN SAHAM: 2351

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V,

AON7410L

BAGIAN SAHAM: 2369

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V,

AON7408L

BAGIAN SAHAM: 2366

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 20A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 9A, 10V,

AON7406L

BAGIAN SAHAM: 2402

AON7403L

BAGIAN SAHAM: 2348

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V,

AON6452L

BAGIAN SAHAM: 5641

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 26A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 7V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 20A, 10V,

AON7401L

BAGIAN SAHAM: 5685

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 20A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 6V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9A, 20V,

AON6448L_001

BAGIAN SAHAM: 2394

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 65A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 7V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 10A, 10V,