Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

  • Rumah
  •  
  • Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
2N7002TQ-7-F
Diodes Incorporated

2N7002TQ-7-F

BAGIAN SAHAM: 123934

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.
2N7002AQ-13
Diodes Incorporated

2N7002AQ-13

BAGIAN SAHAM: 124993

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 115mA, 10V,

Wishlist.
2N7002H-13
Diodes Incorporated

2N7002H-13

BAGIAN SAHAM: 145205

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

Wishlist.
2N7002WKX-7
Diodes Incorporated

2N7002WKX-7

BAGIAN SAHAM: 2391

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

Wishlist.
2N7002WKX-13
Diodes Incorporated

2N7002WKX-13

BAGIAN SAHAM: 2390

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

Wishlist.
2N7002H-7
Diodes Incorporated

2N7002H-7

BAGIAN SAHAM: 168572

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

Wishlist.
2N7002TC
Diodes Incorporated

2N7002TC

BAGIAN SAHAM: 9841

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.
2N7002AQ-7
Diodes Incorporated

2N7002AQ-7

BAGIAN SAHAM: 104068

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 115mA, 10V,

Wishlist.
2N7002T-7
Diodes Incorporated

2N7002T-7

BAGIAN SAHAM: 9281

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

Wishlist.
2N7002W-7
Diodes Incorporated

2N7002W-7

BAGIAN SAHAM: 8910

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

Wishlist.
2N7002-7
Diodes Incorporated

2N7002-7

BAGIAN SAHAM: 8915

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

Wishlist.
2N7002TA
Diodes Incorporated

2N7002TA

BAGIAN SAHAM: 8894

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.
2N7002E-7-F
Diodes Incorporated

2N7002E-7-F

BAGIAN SAHAM: 151296

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 250mA, 10V,

Wishlist.
2N7002W-7-F
Diodes Incorporated

2N7002W-7-F

BAGIAN SAHAM: 152407

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

Wishlist.
2N7002A-7
Diodes Incorporated

2N7002A-7

BAGIAN SAHAM: 162377

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 180mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 115mA, 5V,

Wishlist.
2N7002T-7-F
Diodes Incorporated

2N7002T-7-F

BAGIAN SAHAM: 151684

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

Wishlist.
2N7002-7-F
Diodes Incorporated

2N7002-7-F

BAGIAN SAHAM: 150809

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 115mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

Wishlist.
2N7002K-7
Diodes Incorporated

2N7002K-7

BAGIAN SAHAM: 148092

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 380mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Wishlist.
BSP75GQTC
Diodes Incorporated

BSP75GQTC

BAGIAN SAHAM: 128

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 700mA, 10V,

Wishlist.
BSS84WQ-7-F
Diodes Incorporated

BSS84WQ-7-F

BAGIAN SAHAM: 189691

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 130mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Wishlist.
BSS138K-13
Diodes Incorporated

BSS138K-13

BAGIAN SAHAM: 222

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 310mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Wishlist.
BS870Q-7-F
Diodes Incorporated

BS870Q-7-F

BAGIAN SAHAM: 167

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.
BSS138Q-7-F
Diodes Incorporated

BSS138Q-7-F

BAGIAN SAHAM: 158861

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Wishlist.
BSP75GQTA
Diodes Incorporated

BSP75GQTA

BAGIAN SAHAM: 257

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 700mA, 10V,

Wishlist.
BS107PSTZ
Diodes Incorporated

BS107PSTZ

BAGIAN SAHAM: 8684

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.6V, 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 5V,

Wishlist.
BS170PSTOB
Diodes Incorporated

BS170PSTOB

BAGIAN SAHAM: 1924

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.
BS250FTC
Diodes Incorporated

BS250FTC

BAGIAN SAHAM: 1584

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 45V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.
BSN20Q-7
Diodes Incorporated

BSN20Q-7

BAGIAN SAHAM: 146657

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 220mA, 10V,

Wishlist.
BS170P
Diodes Incorporated

BS170P

BAGIAN SAHAM: 82285

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.
BSS84TC
Diodes Incorporated

BSS84TC

BAGIAN SAHAM: 9817

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 130mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Wishlist.
BSS138TC
Diodes Incorporated

BSS138TC

BAGIAN SAHAM: 9851

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Wishlist.
BSS123TC
Diodes Incorporated

BSS123TC

BAGIAN SAHAM: 9842

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

Wishlist.
BSS123ATC
Diodes Incorporated

BSS123ATC

BAGIAN SAHAM: 9832

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Wishlist.
BS250PSTZ
Diodes Incorporated

BS250PSTZ

BAGIAN SAHAM: 9799

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 45V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.
BS250PSTOB
Diodes Incorporated

BS250PSTOB

BAGIAN SAHAM: 9856

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 45V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.
BS170PSTOA
Diodes Incorporated

BS170PSTOA

BAGIAN SAHAM: 9792

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Wishlist.