Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 100µA,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,
Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.8V @ 1mA,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 900mV @ 250µA,
Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,
Tipe FET: N and P-Channel, Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA (Min),
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,
Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 600mV @ 250µA (Min),
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.4V @ 250µA,
Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 660mA, 410mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 600mV @ 250µA (Min),
Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.2A, 2.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,
Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,
Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A, 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 100µA,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,
Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,
Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 8A, 10V,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6.4A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,
Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.1A, 3.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,
Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.25V @ 250µA,
Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,
Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16.3 mOhm @ 9.2A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 25µA,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 250µA,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17.8 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 50µA,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 86A, 303A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.75 mOhm @ 27A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.1V @ 35µA,
Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 90A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 80A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4.5V @ 250µA,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.4V @ 250µA,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A,
Tipe FET: 4 N-Channel, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 250µA,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,
Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2.3A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 600mV @ 250µA,
Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 1mA,