BAGIAN SAHAM: 2868
Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: GaNFET (Gallium Nitride), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 7mA,