Transistor - FET, MOSFET - Array

FDS9933A

BAGIAN SAHAM: 190178

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

FDC6506P

BAGIAN SAHAM: 194858

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

NVMFD5483NLT1G

BAGIAN SAHAM: 65498

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

FDC6305N

BAGIAN SAHAM: 129016

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

NTUD3129PT5G

BAGIAN SAHAM: 2940

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 140mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

NVMFD5875NLT1G

BAGIAN SAHAM: 155747

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

FDMS3668S

BAGIAN SAHAM: 82251

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A, 18A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.7V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

Taiwan Semiconductor Corporation

NVMFD5C470NLWFT1G

BAGIAN SAHAM: 277

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 20µA,

Untuk Wishlist.

Infineon Technologies

FF11MR12W1M1B11BOMA1

BAGIAN SAHAM: 3093

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Silicon Carbide (SiC), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 100A, 15V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5.55V @ 40mA,

Untuk Wishlist.

Infineon Technologies

IRF6723M2DTR1P

BAGIAN SAHAM: 3004

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.35V @ 25µA,

Untuk Wishlist.

TSM6968SDCA RVG

BAGIAN SAHAM: 9997

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

DMN2016LHAB-7

BAGIAN SAHAM: 190312

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.1V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

DMG1016VQ-13

BAGIAN SAHAM: 163191

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

DMC1030UFDB-13

BAGIAN SAHAM: 115059

Tipe FET: N and P-Channel Complementary, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

DMN2029USD-13

BAGIAN SAHAM: 136935

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

ZXMHC6A07T8TA

BAGIAN SAHAM: 83548

Tipe FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.6A, 1.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SH8M41TB1

BAGIAN SAHAM: 127833

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Untuk Wishlist.

QH8KA4TCR

BAGIAN SAHAM: 78816

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 1mA,

Untuk Wishlist.

TT8J21TR

BAGIAN SAHAM: 169061

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 1mA,

Untuk Wishlist.

SH8J66TB1

BAGIAN SAHAM: 75609

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Untuk Wishlist.

SI3590DV-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 199636

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A, 1.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 77 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SI7998DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 103462

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 25A, 30A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SIA915DJ-T4-GE3

BAGIAN SAHAM: 2966

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 4.5A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 87 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SIZ322DT-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 266

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.35 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Untuk Wishlist.

SI5944DU-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 2992

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

Untuk Wishlist.