Transistor - FET, MOSFET - Array

DMN3032LFDB-7

BAGIAN SAHAM: 142454

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 250µA,

DMP2065UFDB-13

BAGIAN SAHAM: 149887

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

DMC25D1UVT-7

BAGIAN SAHAM: 109372

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA, 3.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

DMC6070LND-13

BAGIAN SAHAM: 121554

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

DMNH4015SSDQ-13

BAGIAN SAHAM: 176142

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

ZXMN2AM832TA

BAGIAN SAHAM: 106042

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 700mV @ 250µA (Min),

ZXMC3AM832TA

BAGIAN SAHAM: 3091

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

ZXMC6A09DN8TA

BAGIAN SAHAM: 63478

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

SI7949DP-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 93111

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

SIZ340DT-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 178844

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A, 40A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 15.6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 250µA,

SI5513DC-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 3020

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SI4214DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 138819

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 23.5 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI4974DY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 2958

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, 4.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

SIZ704DT-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 146407

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A, 16A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SQJ942EP-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 9979

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 45A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.8A, 10V, 11 mOhm @ 10.1A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.3V @ 250µA,

SI7216DN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 113546

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

CSD87503Q3E

BAGIAN SAHAM: 10848

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.1V @ 250µA,

CSD87501LT

BAGIAN SAHAM: 108175

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.3V @ 250µA,

FDG6303N_G

BAGIAN SAHAM: 2999

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 500mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FQS4903TF

BAGIAN SAHAM: 95372

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 370mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.2 Ohm @ 185mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 250µA,

FDMS7608S

BAGIAN SAHAM: 172353

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A, 15A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

EFC6617R-TF

BAGIAN SAHAM: 3361

FDC6318P

BAGIAN SAHAM: 132159

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

VEC2415-TL-W

BAGIAN SAHAM: 107431

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.6V @ 1mA,

FDMS3602S

BAGIAN SAHAM: 50082

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A, 26A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

NTQD6968N

BAGIAN SAHAM: 2957

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDMD8580

BAGIAN SAHAM: 44299

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 82A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 16A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4.5V @ 250µA,

TT8J1TR

BAGIAN SAHAM: 2958

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 1mA,

SH8K1TB1

BAGIAN SAHAM: 189574

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

CMLDM7003 TR

BAGIAN SAHAM: 147996

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 280mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

CMLDM5757 TR

BAGIAN SAHAM: 161889

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 430mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

CAS120M12BM2

BAGIAN SAHAM: 257

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Silicon Carbide (SiC), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 193A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 120A, 20V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.6V @ 6mA (Typ),

FMP76-010T

BAGIAN SAHAM: 5246

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 62A, 54A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4.5V @ 250µA,

IRF3546MTRPBF

BAGIAN SAHAM: 18707

Tipe FET: 4 N-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A (Tc), 20A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 27A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.1V @ 35µA,

TC8020K6-G

BAGIAN SAHAM: 8617

Tipe FET: 6 N and 6 P-Channel, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.4V @ 1mA,

TSM9933DCS RLG

BAGIAN SAHAM: 10803

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.4V @ 250µA,