Transistor - FET, MOSFET - Array

FMM150-0075X2F

BAGIAN SAHAM: 4607

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 100A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 250µA,

VMM85-02F

BAGIAN SAHAM: 1197

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 200V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 84A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 8mA,

GWM220-004P3-SL SAM

BAGIAN SAHAM: 2944

Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 180A, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 1mA,

VWM270-0075X2

BAGIAN SAHAM: 697

Tipe FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 270A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 100A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 500µA,

FDC6327C

BAGIAN SAHAM: 146072

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.7A, 1.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDMC8298

BAGIAN SAHAM: 2974

NTMFD5C650NLT1G

BAGIAN SAHAM: 6527

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 111A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 98µA,

NVMFD5C446NWFT1G

BAGIAN SAHAM: 6461

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 127A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.5V @ 250µA,

FDMJ1032C

BAGIAN SAHAM: 2986

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.2A, 2.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6308P

BAGIAN SAHAM: 158700

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 600mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6320C

BAGIAN SAHAM: 131902

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 25V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 220mA, 140mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

EFC4622R-R-W-E-TR

BAGIAN SAHAM: 2960

FDS4559

BAGIAN SAHAM: 172345

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD2152PT4

BAGIAN SAHAM: 2980

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 775mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

PMGD175XNEAX

BAGIAN SAHAM: 100101

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 252 mOhm @ 900mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.25V @ 250µA,

ZXMC3F31DN8TA

BAGIAN SAHAM: 184943

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.8A, 4.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

DMN3035LWN-7

BAGIAN SAHAM: 179644

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 250µA,

DMC3400SDW-7

BAGIAN SAHAM: 148048

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 650mA, 450mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 590mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.6V @ 250µA,

DMN63D0LT-7

BAGIAN SAHAM: 180893

DMN5L06VKQ-7

BAGIAN SAHAM: 192415

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 280mA (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 250µA,

DMP2065UFDB-7

BAGIAN SAHAM: 144177

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

ZXMHC3A01N8TC

BAGIAN SAHAM: 158505

Tipe FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.17A, 1.64A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

SI1902DL-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 162518

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 660mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

SI4532CDY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 107643

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, 4.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

SQ4949EY-T1_GE3

BAGIAN SAHAM: 10794

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SIZ790DT-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 117428

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 16A, 35A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 250µA,

SI1028X-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 148144

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI3586DV-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 2975

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.1V @ 250µA,

SI4943BDY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 73640

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

SI4904DY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 68509

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 250µA,

TSM6866SDCA RVG

BAGIAN SAHAM: 9954

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 600mV @ 250µA,

CSD87331Q3D

BAGIAN SAHAM: 140901

Tipe FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 15A, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.1V, 1.2V @ 250µA,

MCQ4503-TP

BAGIAN SAHAM: 124864

Tipe FET: N and P-Channel, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

SMA5132

BAGIAN SAHAM: 10943

Tipe FET: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 1.5A,

SSM6N35AFE,LF

BAGIAN SAHAM: 13256

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 100µA,

UPA2372T1P-E4-A

BAGIAN SAHAM: 2981