Transistor - FET, MOSFET - Array

FDMC9430L-F085

BAGIAN SAHAM: 211

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5C466NLT1G

BAGIAN SAHAM: 9983

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 52A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 30µA,

FDS8958A

BAGIAN SAHAM: 10836

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A, 5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

FDD8424H

BAGIAN SAHAM: 181368

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9A, 6.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

EFC4630R-TR

BAGIAN SAHAM: 3001

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 24V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.3V @ 1mA,

FDMS3606AS

BAGIAN SAHAM: 63299

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A, 27A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.7V @ 250µA,

FDS6982AS_G

BAGIAN SAHAM: 2936

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.3A, 8.6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6.3A, 10V, 13.5 mOhm @ 8.6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA,

ECH8651R-R-TL-HX

BAGIAN SAHAM: 2970

FDZ1416NZ

BAGIAN SAHAM: 131465

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Standard, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.3V @ 250µA,

NVMFD5875NLWFT1G

BAGIAN SAHAM: 147994

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

SSM6L13TU(T5L,F,T)

BAGIAN SAHAM: 2912

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 143 mOhm @ 600mA, 4V, 234 mOhm @ 600mA, 4V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 1mA,

SSM6N48FU,RF(D

BAGIAN SAHAM: 2967

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 100µA,

IRF7380QTRPBF

BAGIAN SAHAM: 2971

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 250µA,

IRF7341QTRPBF

BAGIAN SAHAM: 2975

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF5810TRPBF

BAGIAN SAHAM: 3074

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.9A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRF7904PBF

BAGIAN SAHAM: 75561

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16.2 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.25V @ 25µA,

IRF7343TRPBF

BAGIAN SAHAM: 191306

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

DMN1003UCA6-7

BAGIAN SAHAM: 9998

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.3V @ 1mA,

DMN63D1LDW-13

BAGIAN SAHAM: 120600

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

DMT3020LFDB-7

BAGIAN SAHAM: 173648

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

ZXMC4559DN8TC

BAGIAN SAHAM: 98680

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.6A, 2.6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

DMN2028UFU-13

BAGIAN SAHAM: 184757

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20.2 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

DMG8601UFG-7

BAGIAN SAHAM: 139933

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.05V @ 250µA,

DMC1030UFDBQ-7

BAGIAN SAHAM: 120462

Tipe FET: N and P-Channel Complementary, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.1A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

DMP2200UDW-13

BAGIAN SAHAM: 108457

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 900mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.2V @ 250µA,

DMN63D1LDW-7

BAGIAN SAHAM: 176531

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

CSD83325L

BAGIAN SAHAM: 156131

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 12V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.25V @ 250µA,

VMM300-03F

BAGIAN SAHAM: 404

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 300V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 290A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 145A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 30mA,

VMM650-01F

BAGIAN SAHAM: 405

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 680A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 500A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 4V @ 30mA,

UPA1764G-E1-A

BAGIAN SAHAM: 2982

SI1905BDH-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 3022

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 630mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 542 mOhm @ 580mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

SI4904DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 68499

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 250µA,

SI4900DY-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 132105

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

SIA907EDJT-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 150001

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.4V @ 250µA,

TC6215TG-G

BAGIAN SAHAM: 66450

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 150V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2V @ 1mA,

PHN210,118

BAGIAN SAHAM: 3099

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.8V @ 1mA,