Transistor - FET, MOSFET - Array

NVMFD5489NLWFT1G

BAGIAN SAHAM: 87425

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

FDMC7200

BAGIAN SAHAM: 104070

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 23.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5C462NT1G

BAGIAN SAHAM: 57

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 70A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 25A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3.5V @ 250µA,

NVMFD5C462NWFT1G

BAGIAN SAHAM: 119

FDMS7602S

BAGIAN SAHAM: 55912

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A, 17A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

NVMFD5C674NLT1G

BAGIAN SAHAM: 108

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 25µA,

FDPC5030SG

BAGIAN SAHAM: 68643

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A, 25A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

FDMS3604S

BAGIAN SAHAM: 150402

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A, 23A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.7V @ 250µA,

FDMD8430

BAGIAN SAHAM: 165

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 95A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.12 mOhm @ 28A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

FDS6898AZ

BAGIAN SAHAM: 148041

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 9.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NVTJD4001NT2G

BAGIAN SAHAM: 152238

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 250mA, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 100µA,

NTLJD3115PT1G

BAGIAN SAHAM: 178911

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

NVMFD5C462NLWFT1G

BAGIAN SAHAM: 58

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 84A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.2V @ 40µA,

EFC3J018NUZTDG

BAGIAN SAHAM: 158

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 23A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.3V @ 1mA,

NTMFD5C462NLT1G

BAGIAN SAHAM: 129

FF23MR12W1M1B11BOMA1

BAGIAN SAHAM: 163

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Silicon Carbide (SiC), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1200V (1.2kV), Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 50A, 15V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 5.55V @ 20mA,

SP8M51FRATB

BAGIAN SAHAM: 152

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 2.5A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 3A, 10V, 290 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

TT8M3TR

BAGIAN SAHAM: 154779

Tipe FET: N and P-Channel, Fitur FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A, 2.4A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 1mA,

HP8KA1TB

BAGIAN SAHAM: 113065

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 14A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 10mA,

SP8K22FRATB

BAGIAN SAHAM: 87

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 45V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

SP8K33FRATB

BAGIAN SAHAM: 149

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1mA,

TT8K1TR

BAGIAN SAHAM: 171251

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 1mA,

TT8K11TCR

BAGIAN SAHAM: 195555

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 71 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 1A,

SI7900AEDN-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 139913

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 900mV @ 250µA,

SUD50NP04-77P-T4E3

BAGIAN SAHAM: 118918

Tipe FET: N and P-Channel, Common Drain, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 2.5V @ 250µA,

SI6968BEDQ-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 192809

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.2A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.6V @ 250µA,

SI4936CDY-T1-E3

BAGIAN SAHAM: 152475

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5.8A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

SI3948DV-T1-GE3

BAGIAN SAHAM: 139953

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

DMP3036SSD-13

BAGIAN SAHAM: 156076

Tipe FET: 2 P-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10.6A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

DMN2008LFU-13

BAGIAN SAHAM: 196776

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 14.5A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.5V @ 250µA,

DMNH4026SSDQ-13

BAGIAN SAHAM: 107503

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,

DMC2990UDJQ-7B

BAGIAN SAHAM: 199195

Tipe FET: N and P-Channel Complementary, Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 450mA (Ta), 310mA (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

DMN16M9UCA6-7

BAGIAN SAHAM: 135

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.3V @ 1mA,

DMC2038LVTQ-7

BAGIAN SAHAM: 174791

Tipe FET: N and P-Channel Complementary, Fitur FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 2.6A (Ta), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 4.5V, 74 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1V @ 250µA,

MTMC8E2A0LBF

BAGIAN SAHAM: 184943

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Standard, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 20V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 7A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 1.3V @ 1mA,

STL8DN10LF3

BAGIAN SAHAM: 83671

Tipe FET: 2 N-Channel (Dual), Fitur FET: Logic Level Gate, Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Maks) @ Id: 3V @ 250µA,