BAGIAN SAHAM: 606
Konfigurasi Dioda: 2 Independent, Tipe Dioda: Silicon Carbide Schottky, Tegangan - DC Reverse (Vr) (Maks): 1200V, Arus - Rata-rata Diperbaiki (Io) (per Dioda): 64A, Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If: 1.8V @ 60A, Kecepatan: No Recovery Time > 500mA (Io),