Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

2SK4066-E
ON Semiconductor

2SK4066-E

BAGIAN SAHAM: 1172

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK4066-DL-E
ON Semiconductor

2SK4066-DL-E

BAGIAN SAHAM: 1110

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK4043LS
ON Semiconductor

2SK4043LS

BAGIAN SAHAM: 1127

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 2.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 4V,

Untuk Wishlist.
2SK4065-DL-E
ON Semiconductor

2SK4065-DL-E

BAGIAN SAHAM: 1115

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK3748
ON Semiconductor

2SK3748

BAGIAN SAHAM: 1129

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 2A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK3747-MG8
ON Semiconductor

2SK3747-MG8

BAGIAN SAHAM: 1091

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK3746
ON Semiconductor

2SK3746

BAGIAN SAHAM: 1143

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK3747
ON Semiconductor

2SK3747

BAGIAN SAHAM: 1187

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK3704
ON Semiconductor

2SK3704

BAGIAN SAHAM: 1118

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 45A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 23A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK3745LS
ON Semiconductor

2SK3745LS

BAGIAN SAHAM: 1162

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 1500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK3703
ON Semiconductor

2SK3703

BAGIAN SAHAM: 6201

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 15A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SJ652-RA11
ON Semiconductor

2SJ652-RA11

BAGIAN SAHAM: 1181

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 28A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 14A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK4125
ON Semiconductor

2SK4125

BAGIAN SAHAM: 829

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SJ656
ON Semiconductor

2SJ656

BAGIAN SAHAM: 835

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 75.5 mOhm @ 9A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK4124
ON Semiconductor

2SK4124

BAGIAN SAHAM: 818

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK4171
ON Semiconductor

2SK4171

BAGIAN SAHAM: 814

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 50A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK4085LS
ON Semiconductor

2SK4085LS

BAGIAN SAHAM: 852

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK3708
ON Semiconductor

2SK3708

BAGIAN SAHAM: 838

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 15A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK3707
ON Semiconductor

2SK3707

BAGIAN SAHAM: 828

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 10A, 10V,

Untuk Wishlist.
2N7002E
Vishay Siliconix

2N7002E

BAGIAN SAHAM: 125033

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 240mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 250mA, 10V,

Untuk Wishlist.
2N7002K,215
NXP USA Inc.

2N7002K,215

BAGIAN SAHAM: 892

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.9 Ohm @ 500mA, 10V,

Untuk Wishlist.
2N7002L6327HTSA1
Infineon Technologies

2N7002L6327HTSA1

BAGIAN SAHAM: 723

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK4021(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK4021(Q)

BAGIAN SAHAM: 783

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.5A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK4017(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK4017(Q)

BAGIAN SAHAM: 100330

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.5A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK4016(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK4016(Q)

BAGIAN SAHAM: 6095

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6.5A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK3868(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3868(Q,M)

BAGIAN SAHAM: 709

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 2.5A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK3906(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3906(Q)

BAGIAN SAHAM: 711

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 600V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 10A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK3844(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3844(Q)

BAGIAN SAHAM: 756

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 45A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 23A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK3662(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3662(F)

BAGIAN SAHAM: 712

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 35A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 18A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK3462(TE16L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3462(TE16L1,NQ)

BAGIAN SAHAM: 761

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 1.5A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK3466(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3466(TE24L,Q)

BAGIAN SAHAM: 730

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 5A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK3388(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3388(TE24L,Q)

BAGIAN SAHAM: 727

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK3403(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3403(Q)

BAGIAN SAHAM: 759

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 450V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK3313(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3313(Q)

BAGIAN SAHAM: 769

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 500V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 6A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK3342(TE16L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3342(TE16L1,NQ)

BAGIAN SAHAM: 768

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 250V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.5A, 10V,

Untuk Wishlist.
2SK2883(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2883(TE24L,Q)

BAGIAN SAHAM: 752

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 800V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.5A, 10V,

Untuk Wishlist.