Menu
IndonesiaIndonesia
RFQ / Pesanan
0RFQ / Pesanan

Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

AOI508
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOI508

BAGIAN SAHAM: 1478

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 70A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

Untuk Wishlist.
AON2400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON2400

BAGIAN SAHAM: 1473

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 8V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.2V, 2.5V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 8A, 2.5V,

Untuk Wishlist.
AON7754
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7754

BAGIAN SAHAM: 162472

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 32A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRF2804S
Infineon Technologies

AUIRF2804S

BAGIAN SAHAM: 17958

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 75A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRLZ44ZS
Infineon Technologies

AUIRLZ44ZS

BAGIAN SAHAM: 1481

Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRLZ44ZL
Infineon Technologies

AUIRLZ44ZL

BAGIAN SAHAM: 74676

Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRLU3110Z
Infineon Technologies

AUIRLU3110Z

BAGIAN SAHAM: 41622

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 38A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRLU2905
Infineon Technologies

AUIRLU2905

BAGIAN SAHAM: 94886

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRLS4030-7P
Infineon Technologies

AUIRLS4030-7P

BAGIAN SAHAM: 1493

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 190A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 110A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRLSL3036
Infineon Technologies

AUIRLSL3036

BAGIAN SAHAM: 28524

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 165A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRLS3036
Infineon Technologies

AUIRLS3036

BAGIAN SAHAM: 1449

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 165A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRLS3036-7P
Infineon Technologies

AUIRLS3036-7P

BAGIAN SAHAM: 1458

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 240A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 180A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRLS3034-7P
Infineon Technologies

AUIRLS3034-7P

BAGIAN SAHAM: 6197

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 240A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 200A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRLS3034
Infineon Technologies

AUIRLS3034

BAGIAN SAHAM: 1468

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 1.7 mOhm @ 195A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRLR3636
Infineon Technologies

AUIRLR3636

BAGIAN SAHAM: 6156

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 50A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRLR3915
Infineon Technologies

AUIRLR3915

BAGIAN SAHAM: 1468

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 30A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRLR3114Z
Infineon Technologies

AUIRLR3114Z

BAGIAN SAHAM: 1439

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 42A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRLR3110Z
Infineon Technologies

AUIRLR3110Z

BAGIAN SAHAM: 1430

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 38A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRLR2908
Infineon Technologies

AUIRLR2908

BAGIAN SAHAM: 1450

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 80V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 23A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRLR3105
Infineon Technologies

AUIRLR3105

BAGIAN SAHAM: 1513

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 15A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRLR014N
Infineon Technologies

AUIRLR014N

BAGIAN SAHAM: 1496

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 6A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRLR120N
Infineon Technologies

AUIRLR120N

BAGIAN SAHAM: 1440

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 6A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRLL024N
Infineon Technologies

AUIRLL024N

BAGIAN SAHAM: 1452

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRL2203N
Infineon Technologies

AUIRL2203N

BAGIAN SAHAM: 56647

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.5V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 60A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRL1404S
Infineon Technologies

AUIRL1404S

BAGIAN SAHAM: 1419

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4.3V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 95A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRFZ46NL
Infineon Technologies

AUIRFZ46NL

BAGIAN SAHAM: 69473

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 28A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRFZ44NS
Infineon Technologies

AUIRFZ44NS

BAGIAN SAHAM: 1515

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 55V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 49A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 17.5 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRFS4410Z
Infineon Technologies

AUIRFS4410Z

BAGIAN SAHAM: 1455

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 97A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 58A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRFS4010-7P
Infineon Technologies

AUIRFS4010-7P

BAGIAN SAHAM: 1433

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 190A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 110A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRFS4010
Infineon Technologies

AUIRFS4010

BAGIAN SAHAM: 1504

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 100V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 106A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRFS3806
Infineon Technologies

AUIRFS3806

BAGIAN SAHAM: 1415

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 25A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRFS3607
Infineon Technologies

AUIRFS3607

BAGIAN SAHAM: 1463

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 46A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRFS3307Z
Infineon Technologies

AUIRFS3307Z

BAGIAN SAHAM: 1466

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 75A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRFS3306
Infineon Technologies

AUIRFS3306

BAGIAN SAHAM: 1471

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 75A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRFS3207Z
Infineon Technologies

AUIRFS3207Z

BAGIAN SAHAM: 6161

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 75V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 4.1 mOhm @ 75A, 10V,

Untuk Wishlist.
AUIRFS3206
Infineon Technologies

AUIRFS3206

BAGIAN SAHAM: 1470

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 60V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 75A, 10V,

Untuk Wishlist.