Transistor - FET, MOSFET - Tunggal

3LP01SS-TL-EX

BAGIAN SAHAM: 2251

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01C-TB-E

BAGIAN SAHAM: 130398

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LP01SS-TL-E

BAGIAN SAHAM: 174489

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01S-TL-E

BAGIAN SAHAM: 1963

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01SS-TL-E

BAGIAN SAHAM: 161259

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01M-TL-H

BAGIAN SAHAM: 137899

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01M-TL-E

BAGIAN SAHAM: 133843

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LP01M-TL-H

BAGIAN SAHAM: 111476

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01C-TB-E

BAGIAN SAHAM: 1924

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01S-TL-E

BAGIAN SAHAM: 1979

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LP01S-K-TL-E

BAGIAN SAHAM: 1806

3LP01M-TL-E

BAGIAN SAHAM: 137438

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01C-TB-H

BAGIAN SAHAM: 1190

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01SS-TL-H

BAGIAN SAHAM: 1133

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01SS-TL-H

BAGIAN SAHAM: 1184

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01C-TB-H

BAGIAN SAHAM: 1110

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01S-K-TL-E

BAGIAN SAHAM: 9511

5LN01C-TB-EX

BAGIAN SAHAM: 2353

5HN01C-TB-EX

BAGIAN SAHAM: 2210

5HP01M-TL-H

BAGIAN SAHAM: 110639

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 Ohm @ 40mA, 10V,

5LN01M-TL-H

BAGIAN SAHAM: 114622

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 1.5V, 4V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5HP01S-TL-E

BAGIAN SAHAM: 1973

5HP01SS-TL-E

BAGIAN SAHAM: 142336

5HP01SS-TL-H

BAGIAN SAHAM: 108914

5HP01C-TB-H

BAGIAN SAHAM: 157648

5HP01M-TL-E

BAGIAN SAHAM: 1963

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 70mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 22 Ohm @ 40mA, 10V,

5HN01S-TL-E

BAGIAN SAHAM: 1979

5HP01C-TB-E

BAGIAN SAHAM: 6246

5HN01SS-TL-H

BAGIAN SAHAM: 146833

5HN01SS-TL-E

BAGIAN SAHAM: 154338

5HN01M-TL-E

BAGIAN SAHAM: 1932

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 10V,

5HN01M-TL-H

BAGIAN SAHAM: 102036

Tipe FET: N-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 50V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 4V, 10V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 10V,

3N164

BAGIAN SAHAM: 1783

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 30V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 300 Ohm @ 100µA, 20V,

3N163-E3

BAGIAN SAHAM: 1851

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 250 Ohm @ 100µA, 20V,

3N163

BAGIAN SAHAM: 1830

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 250 Ohm @ 100µA, 20V,

3N163-2

BAGIAN SAHAM: 6254

Tipe FET: P-Channel, Teknologi: MOSFET (Metal Oxide), Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss): 40V, Arus - Pembuangan Kontinu (Id) @ 25°C: 50mA (Ta), Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif): 20V, Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs: 250 Ohm @ 100µA, 20V,